AEC-Q101 MOSFET NTJD4158CT1G Typ N, Typ P-kanálový 880 mA 30 V, SC-88, počet kolíků: 6 kolíkový onsemi Vylepšení 2
- Skladové číslo RS:
- 780-0614
- Výrobní číslo:
- NTJD4158CT1G
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 páska po 25 kusech)*
155,35 Kč
(bez DPH)
187,975 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 20. července 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za pásku* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | 6,214 Kč | 155,35 Kč |
| 100 - 225 | 5,345 Kč | 133,63 Kč |
| 250 - 475 | 4,634 Kč | 115,85 Kč |
| 500 - 975 | 4,08 Kč | 102,00 Kč |
| 1000 + | 3,725 Kč | 93,13 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 780-0614
- Výrobní číslo:
- NTJD4158CT1G
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ kanálu | Typ N, Typ P | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 880mA | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Typ balení | SC-88 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 6 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 500mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 0.9nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 270mW | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 0.65V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Konfigurace tranzistoru | Izolovaný | |
| Délka | 2.2mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 1.35mm | |
| Výška | 1mm | |
| Počet prvků na čip | 2 | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ kanálu Typ N, Typ P | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 880mA | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Typ balení SC-88 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 6 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 500mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 0.9nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 270mW | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 0.65V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Konfigurace tranzistoru Izolovaný | ||
Délka 2.2mm | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 1.35mm | ||
Výška 1mm | ||
Počet prvků na čip 2 | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Duální, N/P-Channel MOSFET, ON on Semiconductor
NTJD1155L je dvoukanálový MOSFET. Tento MOSFET, který je vybaven kanály P i N do jednoho balení, je oslnivý pro nízký řídicí signál, nízké napětí baterie a velký zatěžovací proud. Kanál N je vybaven interní ochranou proti elektrostatickému výboji a lze jej řídit logickým signálem s nízkým napětím 1,5 V, zatímco kanál P-Channel je navržen pro použití v aplikacích přepínání zatížení. Kanál P byl také navržen s využitím technologie polovičního zákopu.
Tranzistory MOSFET, on Semiconductor
Související odkazy
- AEC-Q101 MOSFET Typ N SC-88, počet kolíků: 6 kolíkový onsemi Vylepšení 2 Izolovaný
- AEC-Q101 MOSFET Typ P-kanálový 880 mA 20 V počet kolíků: 6 kolíkový onsemi Vylepšení 2 Izolovaný
- AEC-Q101 MOSFET NTJD4152PT1G Typ P-kanálový 880 mA 20 V počet kolíků: 6 kolíkový onsemi Vylepšení 2 Izolovaný
- AEC-Q101 MOSFET Typ N-kanálový 88 A 40 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET NVD5C454NLT4G Typ N-kanálový 88 A 40 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 Výkonový MOSFET NTJD5121NT1G Typ N-kanálový 300 mA 60 V počet kolíků: 6 kolíkový onsemi Vylepšení 2
- Výkonový MOSFET NTJD1155LT1G Typ P SC-88, počet kolíků: 6 kolíkový onsemi Vylepšení 2 Spínač
- AEC-Q101 Výkonový MOSFET Typ N-kanálový 300 mA 60 V počet kolíků: 6 kolíkový onsemi Vylepšení 2 Izolovaný