MPN

MOSFET RQK0609CQDQS#H3 N-kanálový 12 A 60 V, SC-62, počet kolíků: 4 Jednoduchý Si

Využijte množstevní slevu

Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet 60 jednotky/-ek (dodává se na souvislé pásce)*

529,74 Kč

(bez DPH)

640,98 Kč

(s DPH)

Informace o zásobách jsou momentálně nepřístupné - Ověřte si to později

*orientační cena

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Renesas Electronics
	Typ kanálu	N
	Maximální stejnosměrný odběrový proud	12 A
	Maximální napětí kolektor/zdroj	60 V
	Typ balení	SC-62
	Typ montáže	Povrchová montáž
	Počet kolíků	4
	Maximální odpor kolektor/zdroj	125 mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Maximální prahové napětí řídicí elektrody	1.4V
	Maximální ztrátový výkon	1.5 W
	Konfigurace tranzistoru	Jednoduchý
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj	-12 V, +12 V
	Materiál tranzistoru	Si
	Šířka	2.5mm
	Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs	5 nC při 4,5 V
	Délka	4.5mm
	Maximální pracovní teplota	+150 °C
	Počet prvků na čip	1
	Výška	1.5mm

	Vybrat vše
	Značka Renesas Electronics
	Typ kanálu N
	Maximální stejnosměrný odběrový proud 12 A
	Maximální napětí kolektor/zdroj 60 V
	Typ balení SC-62
	Typ montáže Povrchová montáž
	Počet kolíků 4
	Maximální odpor kolektor/zdroj 125 mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Maximální prahové napětí řídicí elektrody 1.4V
	Maximální ztrátový výkon 1.5 W
	Konfigurace tranzistoru Jednoduchý
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj -12 V, +12 V
	Materiál tranzistoru Si
	Šířka 2.5mm
	Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs 5 nC při 4,5 V
	Délka 4.5mm
	Maximální pracovní teplota +150 °C
	Počet prvků na čip 1
	Výška 1.5mm

Související odkazy

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.