MOSFET 2SK2788VYTR-E N-kanálový 4 A 60 V, SC-62, počet kolíků: 4 Jednoduchý Si
- Skladové číslo RS:
- 772-5359P
- Výrobní číslo:
- 2SK2788VYTR-E
- Výrobce:
- Renesas Electronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet 40 jednotky/-ek (dodává se na souvislé pásce)*
468,12 Kč
(bez DPH)
566,44 Kč
(s DPH)
Informace o zásobách jsou momentálně nepřístupné - Ověřte si to později
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 40 - 190 | 11,703 Kč |
| 200 - 490 | 11,465 Kč |
| 500 - 1990 | 11,226 Kč |
| 2000 + | 11,013 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 772-5359P
- Výrobní číslo:
- 2SK2788VYTR-E
- Výrobce:
- Renesas Electronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Renesas Electronics | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální stejnosměrný odběrový proud | 4 A | |
| Maximální napětí kolektor/zdroj | 60 V | |
| Typ balení | SC-62 | |
| Typ montáže | Povrchová montáž | |
| Počet kolíků | 4 | |
| Maximální odpor kolektor/zdroj | 250 mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální prahové napětí řídicí elektrody | 2V | |
| Maximální ztrátový výkon | 1 W | |
| Konfigurace tranzistoru | Jednoduchý | |
| Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj | -20 V, +20 V | |
| Maximální pracovní teplota | +150 °C | |
| Délka | 4.5mm | |
| Počet prvků na čip | 1 | |
| Šířka | 2.5mm | |
| Materiál tranzistoru | Si | |
| Výška | 1.5mm | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Renesas Electronics | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální stejnosměrný odběrový proud 4 A | ||
Maximální napětí kolektor/zdroj 60 V | ||
Typ balení SC-62 | ||
Typ montáže Povrchová montáž | ||
Počet kolíků 4 | ||
Maximální odpor kolektor/zdroj 250 mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální prahové napětí řídicí elektrody 2V | ||
Maximální ztrátový výkon 1 W | ||
Konfigurace tranzistoru Jednoduchý | ||
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj -20 V, +20 V | ||
Maximální pracovní teplota +150 °C | ||
Délka 4.5mm | ||
Počet prvků na čip 1 | ||
Šířka 2.5mm | ||
Materiál tranzistoru Si | ||
Výška 1.5mm | ||
Související odkazy
- MOSFET RQK0609CQDQS#H3 N-kanálový 12 A 60 V počet kolíků: 4 Jednoduchý Si
- MOSFET 2SK2586-E N-kanálový 240 A 60 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: E Series MOSFET SIHL039N60E-GE3 N kanál-kanálový 62 A 600 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- MOSFET 2SJ526-E P-kanálový 48 A 60 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- MOSFET 2SK2927-E N-kanálový 40 A 60 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- MOSFET ZVN4306A N-kanálový 1 E-Line, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- MOSFET 2SK2926L-E N-kanálový 60 A 60 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- MOSFET 2SK2869L-E N-kanálový 80 A 60 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
