řada: OptiMOS 3 MOSFET IPP200N25N3GXKSA1 Typ N-kanálový 64 A 250 V Infineon, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 754-5500
- Výrobní číslo:
- IPP200N25N3GXKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
155,36 Kč
(bez DPH)
187,99 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 85 jednotka(y) budou odesílané od 31. srpna 2026
- Plus 56 jednotka(y) budou odesílané od 07. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 4 | 155,36 Kč |
| 5 - 9 | 147,71 Kč |
| 10 - 24 | 133,13 Kč |
| 25 - 49 | 119,80 Kč |
| 50 + | 113,13 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 754-5500
- Výrobní číslo:
- IPP200N25N3GXKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 64A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 250V | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Řada | OptiMOS 3 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 20mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 64nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 300W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Šířka | 15.95mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 4.57mm | |
| Délka | 10.36mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 64A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 250V | ||
Typ balení TO-220 | ||
Řada OptiMOS 3 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 20mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 64nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 300W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Šířka 15.95mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 4.57mm | ||
Délka 10.36mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Infineon OptiMOS™3 - výkonové MOSFET, 100 V
Tranzistory MOSFET, Infineon
Společnost Infineon nabízí velké a komplexní portfolio zařízení MOSFET, které zahrnuje rodiny CoolMOS, OptiMOS a StrongIRFET. Poskytují nejlepší výkon ve své třídě, který přináší vyšší efektivitu, hustotu energie a efektivitu nákladů. Návrhy vyžadující vysoce kvalitní a vylepšené funkce ochrany využívají standardy MOSFET AEC-Q101, které byly schváleny automobilovým průmyslem.
Související odkazy
- řada: OptiMOS 3 MOSFET Typ N-kanálový 64 A 250 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS 3 MOSFET Typ N-kanálový 64 A 250 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS 3 MOSFET IPB200N25N3GATMA1 Typ N-kanálový 64 A 250 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS 3 MOSFET Typ N-kanálový 120 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS 3 MOSFET Typ N-kanálový 83 A 150 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS 3 MOSFET Typ N-kanálový 37 A 150 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS 3 MOSFET Typ N-kanálový 43 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS 3 MOSFET Typ N-kanálový 34 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení