řada: OptiMOS™ 3MOSFET IPP320N20N3GXKSA1 N-kanálový 34 A 200 V, TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Tento MOSFET nabízí vysoký výkon pro různé elektronické aplikace. Díky schopnosti trvalého proudu drain až 34 A a jmenovitému napětí drain-source 200 V slouží jako efektivní řešení napájení. Provoz v režimu vylepšení zajišťuje spolehlivý výkon v obvodech vyžadujících spínání a synchronní usměrnění.

• N-kanálová konstrukce pro efektivní konverzi výkonu
• Nízký zapínací odpor snižuje energetické ztráty
• Vysoká tolerance provozních teplot pro extrémní podmínky
• Kompatibilní s vysokofrekvenčními spínacími aplikacemi
• Bez Pb a v souladu s RoHS pro použití šetrné k životnímu prostředí
• Bezhalogenové materiály zvyšují bezpečnost a shodu s předpisy

• Používá se v napájecích zdrojích pro průmyslovou automatizaci
• Vhodné pro synchronní usměrnění v měničích DC-DC
• Použitelné v systémech nabíjení elektrických vozidel
• Ideální pro systémy správy baterií ve spotřební elektronice
• Využívá se ve střídačích obnovitelné energie pro efektivní přenos energie

Součástka účinně pracuje při teplotách od -55 °C do +175 °C, takže je vhodná do různých podmínek prostředí.

Ano, podporuje trvalý odběrový proud až 34 A, což je vhodné pro aplikace s vysokým výkonem.

Nízký zapínací odpor výrazně snižuje energetické ztráty během provozu, což zvyšuje účinnost v aplikacích s vysokým výkonem.

Díky vysoké teplotní odolnosti a nízkému zapínacímu odporu je vhodný pro aplikace v automobilovém průmyslu a poskytuje výkon v náročných podmínkách.

Abyste dosáhli účinného tepelného managementu, zajistěte, aby byl MOSFET namontován na chladiči nebo desce plošných spojů s dostatečnou měděnou plochou, která pomáhá odvádět teplo vznikající během provozu.

Tranzistory MOSFET, Infineon

Společnost Infineon nabízí velké a komplexní portfolio zařízení MOSFET, které zahrnuje rodiny CoolMOS, OptiMOS a StrongIRFET. Poskytují nejlepší výkon ve své třídě, který přináší vyšší efektivitu, hustotu energie a efektivitu nákladů. Návrhy vyžadující vysoce kvalitní a vylepšené funkce ochrany využívají standardy MOSFET AEC-Q101, které byly schváleny automobilovým průmyslem.