řada: OptiMOS™ 3MOSFET IPP320N20N3GXKSA1 N-kanálový 34 A 200 V, TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS:: 823-5642
Výrobní číslo:: IPP320N20N3GXKSA1
Výrobce:: Infineon

řada: OptiMOS™ 3MOSFET IPP320N20N3GXKSA1 N-kanálový 34 A 200 V, TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Využijte množstevní slevu

Cena Kus (v jednotce baleni à 2)**

79,91 Kč

(bez DPH)

96,69 Kč

(s DPH)

8 k dispozici s dodáním následující pracovní den, pokud objednávku uskutečníte do 16:00.*

14 s dodáním do 4 pracovních dnů.

*Dodací lhůty se mohou měnit v závislosti na množství a dodací adrese.

Doprava ZDARMA při nákupu za více než 1 500,00 Kč

Kontrola množství na skladě

Ks	za jednotku	za balení**
2 - 98	79,91 Kč	159,81 Kč
100 - 198	58,23 Kč	116,45 Kč
200 - 498	55,13 Kč	110,26 Kč
500 - 998	49,06 Kč	98,11 Kč
1000 +	47,32 Kč	94,64 Kč

**orientační cena

Skladové číslo RS:: 823-5642
Výrobní číslo:: IPP320N20N3GXKSA1
Výrobce:: Infineon

MOSFETy Infineon OptiMOS™ řady 3, maximální trvalý proud na odtoku 34 A, maximální ztrátový výkon 136 W - IPP320N20N3GXKSA1

Tento MOSFET nabízí vysoký výkon pro různé elektronické aplikace. Díky schopnosti trvalého proudu drain až 34 A a jmenovitému napětí drain-source 200 V slouží jako efektivní řešení napájení. Provoz v režimu vylepšení zajišťuje spolehlivý výkon v obvodech vyžadujících spínání a synchronní usměrnění.

Vlastnosti a výhody

• N-kanálová konstrukce pro efektivní konverzi výkonu
• Nízký zapínací odpor snižuje energetické ztráty
• Vysoká tolerance provozních teplot pro extrémní podmínky
• Kompatibilní s vysokofrekvenčními spínacími aplikacemi
• Bez Pb a v souladu s RoHS pro použití šetrné k životnímu prostředí
• Bezhalogenové materiály zvyšují bezpečnost a shodu s předpisy

Aplikace

• Používá se v napájecích zdrojích pro průmyslovou automatizaci
• Vhodné pro synchronní usměrnění v měničích DC-DC
• Použitelné v systémech nabíjení elektrických vozidel
• Ideální pro systémy správy baterií ve spotřební elektronice
• Využívá se ve střídačích obnovitelné energie pro efektivní přenos energie

Jaký je maximální rozsah provozních teplot?

Součástka účinně pracuje při teplotách od -55 °C do +175 °C, takže je vhodná do různých podmínek prostředí.

Zvládne vysoké odtokové proudy?

Ano, podporuje trvalý odběrový proud až 34 A, což je vhodné pro aplikace s vysokým výkonem.

Jaké výhody přináší funkce low RDS(on)?

Nízký zapínací odpor výrazně snižuje energetické ztráty během provozu, což zvyšuje účinnost v aplikacích s vysokým výkonem.

Je vhodný pro použití v automobilovém průmyslu?

Díky vysoké teplotní odolnosti a nízkému zapínacímu odporu je vhodný pro aplikace v automobilovém průmyslu a poskytuje výkon v náročných podmínkách.

Jak bych zajistil správný odvod tepla při instalaci?

Abyste dosáhli účinného tepelného managementu, zajistěte, aby byl MOSFET namontován na chladiči nebo desce plošných spojů s dostatečnou měděnou plochou, která pomáhá odvádět teplo vznikající během provozu.

Tranzistory MOSFET, Infineon

Společnost Infineon nabízí velké a komplexní portfolio zařízení MOSFET, které zahrnuje rodiny CoolMOS, OptiMOS a StrongIRFET. Poskytují nejlepší výkon ve své třídě, který přináší vyšší efektivitu, hustotu energie a efektivitu nákladů. Návrhy vyžadující vysoce kvalitní a vylepšené funkce ochrany využívají standardy MOSFET AEC-Q101, které byly schváleny automobilovým průmyslem.

Vlastnost	Hodnota
Typ kanálu	N
Maximální stejnosměrný odběrový proud	34 A
Maximální napětí kolektor/zdroj	200 V
Řada	OptiMOS™ 3
Typ balení	TO-220
Typ montáže	Průchozí otvor
Počet kolíků	3
Maximální odpor kolektor/zdroj	32 mΩ
Režim kanálu	Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody	4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody	2V
Maximální ztrátový výkon	136 W
Konfigurace tranzistoru	Jednoduchý
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj	-20 V, +20 V
Délka	10.36mm
Materiál tranzistoru	Si
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs	22 nC při 10 V
Počet prvků na čip	1
Maximální pracovní teplota	+175 °C
Šířka	4.57mm
Výška	15.95mm
Propustné napětí diody	1.2V
Minimální provozní teplota	-55 °C