řada: OptiMOS 3 MOSFET Typ N-kanálový 83 A 150 V Infineon, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 165-8120
Výrobní číslo:: IPP111N15N3GXKSA1
Výrobce:: Infineon

řada: OptiMOS 3 MOSFET Typ N-kanálový 83 A 150 V Infineon, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (1 tuba po 50 kusech)*

3 141,85 Kč

(bez DPH)

3 801,65 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Skladem

250 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za tubu*
50 +	62,837 Kč	3 141,85 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 165-8120
Výrobní číslo:: IPP111N15N3GXKSA1
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ produktu	MOSFET
	Typ kanálu	Typ N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	83A
	Maximální napětí na zdroji Vds	150V
	Typ balení	TO-220
	Řada	OptiMOS 3
	Typ montáže	Průchozí otvor
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor zdroje Rds	11.3mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	41nC
	Přímé napětí Vf	1V
	Maximální ztrátový výkon Pd	214W
	Maximální provozní teplota	175°C
	Výška	15.95mm
	Normy/schválení	No
	Délka	10.36mm
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ produktu MOSFET
	Typ kanálu Typ N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 83A
	Maximální napětí na zdroji Vds 150V
	Typ balení TO-220
	Řada OptiMOS 3
	Typ montáže Průchozí otvor
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor zdroje Rds 11.3mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Minimální provozní teplota -55°C
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 41nC
	Přímé napětí Vf 1V
	Maximální ztrátový výkon Pd 214W
	Maximální provozní teplota 175°C
	Výška 15.95mm
	Normy/schválení No
	Délka 10.36mm
	Automobilový standard Ne

Země původu (Country of Origin):: CN

MOSFETy Infineon OptiMOS™ řady 3, maximální trvalý proud 83 A, maximální ztrátový výkon 214 W - IPP111N15N3GXKSA1

Tento tranzistor MOSFET je vhodný pro vysoce účinné spínací aplikace, které výrazně zvyšují účinnost a výkon systémů v různých průmyslových odvětvích včetně automatizace a elektroniky. Díky svým vlastnostem, včetně vysokého trvalého vypouštěcího proudu a širokého rozsahu provozních teplot, je přizpůsobitelný pro různá prostředí.

Vlastnosti a výhody

• N-kanálová konstrukce pro efektivní spínací schopnosti

• Nízký zapínací odpor, který snižuje ztráty energie

• Vysoká kapacita rozptylu energie pro konzistentní provoz

• Efektivně zvládá pulzní i trvalý proud

• Průchozí montážní provedení pro snadnou instalaci

Aplikace

• Ideální pro synchronní usměrnění v napájecích zdrojích

• Použitelné při vysokofrekvenčním spínání pro zvýšení účinnosti

• Vhodné pro automobilové a průmyslové automatizační systémy

• Využívá se v systémech pro přeměnu energie, jako jsou měniče a střídače

• Použití v oblasti řízení spotřeby energie pro technologie obnovitelných zdrojů energie

Lze jej použít v systémech průmyslové automatizace?

Ano, je vhodný pro automatizované systémy díky své efektivitě a spolehlivému výkonu.

Jaké jsou výhody použití této součástky v napájecích zdrojích?

Vyznačuje se nízkým zapínacím odporem a vysokým odběrovým proudem, což minimalizuje ztráty energie a zlepšuje tepelné řízení při návrhu napájecích zdrojů.

Jak se chová při extrémních teplotách?

Tato součástka spolehlivě pracuje v teplotním rozsahu od -55 °C do +175 °C, takže je vhodná do náročných podmínek.

Je kompatibilní se stávajícími návrhy v mé aplikaci?

Ano, jeho typ pouzdra TO-220 a způsob montáže do průchozího otvoru jsou kompatibilní s mnoha zavedenými obvody.

Co je třeba zvážit pro správnou instalaci?

Zajistěte správný tepelný management a dostatečný prostor pro odvod tepla, aby byl během provozu zachován optimální výkon.