řada: OptiMOS™ 3Tranzistor MOSFET IPP096N03L G N-kanálový 35 A 30 V, TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- Skladové číslo RS:
- 754-5493
- Výrobní číslo:
- IPP096N03L G
- Výrobce:
- Infineon
Nedostupné
Společnost RS již nebude tento výrobek vést skladem.
- Skladové číslo RS:
- 754-5493
- Výrobní číslo:
- IPP096N03L G
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální stejnosměrný odběrový proud | 35 A | |
| Maximální napětí kolektor/zdroj | 30 V | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Series | OptiMOS™ 3 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor kolektor/zdroj | 14,4 mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální prahové napětí řídicí elektrody | 2.2V | |
| Minimální prahové napětí řídicí elektrody | 1V | |
| Maximální ztrátový výkon | 42 W | |
| Konfigurace tranzistoru | Jednoduchý | |
| Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj | -20 V, +20 V | |
| Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs | 7,4 nC při 4,5 V | |
| Materiál tranzistoru | Si | |
| Šířka | 15.95mm | |
| Délka | 10.36mm | |
| Maximální pracovní teplota | +175 °C | |
| Počet prvků na čip | 1 | |
| Výška | 4.57mm | |
| Minimální provozní teplota | -55 °C | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální stejnosměrný odběrový proud 35 A | ||
Maximální napětí kolektor/zdroj 30 V | ||
Typ balení TO-220 | ||
Series OptiMOS™ 3 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor kolektor/zdroj 14,4 mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální prahové napětí řídicí elektrody 2.2V | ||
Minimální prahové napětí řídicí elektrody 1V | ||
Maximální ztrátový výkon 42 W | ||
Konfigurace tranzistoru Jednoduchý | ||
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj -20 V, +20 V | ||
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs 7,4 nC při 4,5 V | ||
Materiál tranzistoru Si | ||
Šířka 15.95mm | ||
Délka 10.36mm | ||
Maximální pracovní teplota +175 °C | ||
Počet prvků na čip 1 | ||
Výška 4.57mm | ||
Minimální provozní teplota -55 °C | ||
Související odkazy
- řada: OptiMOS™ 2MOSFET IPP05CN10NGXKSA1 N-kanálový 100 A 100 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: OptiMOS™ 5MOSFET IPP060N06NAKSA1 N-kanálový 45 A 60 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: OptiMOS™ 3MOSFET IPP048N12N3GXKSA1 N-kanálový 100 A 120 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: OptiMOS™ 3MOSFET IPA028N08N3GXKSA1 N-kanálový 100 A 80 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: OptiMOS™MOSFET IPB80N06S208ATMA1 N-kanálový 80 A 55 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: OptiMOS™MOSFET IPB80N06S2L06ATMA1 N-kanálový 80 A 55 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: OptiMOS™MOSFET IPD30N03S2L10ATMA1 N-kanálový 30 A 30 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: OptiMOS™MOSFET IPI80N06S208AKSA1 N-kanálový 80 A 55 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
