MPN

řada: OptiMOS™ 2MOSFET IPP05CN10NGXKSA1 N-kanálový 100 A 100 V, TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Informace o zásobách jsou momentálně nedostupné

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ kanálu	N
	Maximální stejnosměrný odběrový proud	100 A
	Maximální napětí kolektor/zdroj	100 V
	Typ balení	TO-220
	Series	OptiMOS™ 2
	Typ montáže	Průchozí otvor
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor kolektor/zdroj	5,4 mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Maximální ztrátový výkon	300 W
	Konfigurace tranzistoru	Jednoduchý
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj	-20 V, +20 V
	Šířka	4.57mm
	Délka	10.36mm
	Počet prvků na čip	1
	Maximální pracovní teplota	+175 °C
	Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs	136 nC při 10 V
	Materiál tranzistoru	Si
	Výška	15.95mm
	Propustné napětí diody	1.2V
	Minimální provozní teplota	-55 °C

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ kanálu N
	Maximální stejnosměrný odběrový proud 100 A
	Maximální napětí kolektor/zdroj 100 V
	Typ balení TO-220
	Series OptiMOS™ 2
	Typ montáže Průchozí otvor
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor kolektor/zdroj 5,4 mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Maximální ztrátový výkon 300 W
	Konfigurace tranzistoru Jednoduchý
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj -20 V, +20 V
	Šířka 4.57mm
	Délka 10.36mm
	Počet prvků na čip 1
	Maximální pracovní teplota +175 °C
	Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs 136 nC při 10 V
	Materiál tranzistoru Si
	Výška 15.95mm
	Propustné napětí diody 1.2V
	Minimální provozní teplota -55 °C

Související odkazy

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.