řada: OptiMOS™-TMOSFET IPI50N10S3L16AKSA1 N-kanálový 50 A 100 V, I2PAK (TO-262), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 tuba po 500 kusech)*

12 843,50 Kč

(bez DPH)

15 540,50 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Informace o zásobách jsou momentálně nepřístupné - Ověřte si to později
Ks
za jednotku
za tubu*
500 - 200025,687 Kč12 843,50 Kč
2500 - 450024,434 Kč12 217,00 Kč
5000 +23,823 Kč11 911,50 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
857-4685
Výrobní číslo:
IPI50N10S3L16AKSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

50 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

100 V

Series

OptiMOS™-T

Typ balení

I2PAK (TO-262)

Typ montáže

Průchozí otvor

Počet kolíků

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

29 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2.4V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1.2V

Maximální ztrátový výkon

100 W

Konfigurace tranzistoru

Jednoduchý

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Šířka

4.4mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Délka

10mm

Maximální pracovní teplota

+175 °C

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

49 nC při 10 V

Minimální provozní teplota

-55 °C

Výška

9.25mm

Nelze použít

Infineon OptiMOS™T - výkonové tranzistory


Produkty OptiMOS™ jsou k dispozici ve vysoce výkonných balíčcích, které se zabývají nejnáročnějšími aplikacemi a poskytují plnou flexibilitu v omezených prostorách. Tyto produkty Infineon jsou navrženy tak, aby splňovaly požadavky na energetickou účinnost a hustotu energie na základě naostřených standardů nové generace pro regulaci napětí v počítačových aplikacích.

N-kanál – Režim rozlišení
Kvalifikováno pro automobilový průmysl AEC Q101
MSL1 až Peak 260°
Provozní teplota 175 °C
Zelený výrobek (vyhovuje směrnici RoHS)


Tranzistory MOSFET, Infineon


Společnost Infineon nabízí velké a komplexní portfolio zařízení MOSFET, které zahrnuje rodiny CoolMOS, OptiMOS a StrongIRFET. Poskytují nejlepší výkon ve své třídě, který přináší vyšší efektivitu, hustotu energie a efektivitu nákladů. Návrhy vyžadující vysoce kvalitní a vylepšené funkce ochrany využívají standardy MOSFET AEC-Q101, které byly schváleny automobilovým průmyslem.

Související odkazy