řada: OptiMOS T2MOSFET IPI80N04S403AKSA1 N-kanálový 80 A 40 V, I2PAK (TO-262), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS:: 857-6754
Výrobní číslo:: IPI80N04S403AKSA1
Výrobce:: Infineon

řada: OptiMOS T2MOSFET IPI80N04S403AKSA1 N-kanálový 80 A 40 V, I2PAK (TO-262), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 tuba po 500 kusech)*

9 758,00 Kč

(bez DPH)

11 807,00 Kč

(s DPH)

Informace o zásobách jsou momentálně nepřístupné - Ověřte si to později

Ks	za jednotku	za tubu*
500 - 2000	19,516 Kč	9 758,00 Kč
2500 - 4500	19,016 Kč	9 508,00 Kč
5000 +	18,541 Kč	9 270,50 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 857-6754
Výrobní číslo:: IPI80N04S403AKSA1
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ kanálu	N
	Maximální stejnosměrný odběrový proud	80 A
	Maximální napětí kolektor/zdroj	40 V
	Series	OptiMOS T2
	Typ balení	I2PAK (TO-262)
	Typ montáže	Průchozí otvor
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor kolektor/zdroj	3,7 mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Maximální prahové napětí řídicí elektrody	4V
	Minimální prahové napětí řídicí elektrody	2V
	Maximální ztrátový výkon	94 W
	Konfigurace tranzistoru	Jednoduchý
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj	-20 V, +20 V
	Šířka	4.4mm
	Délka	10mm
	Počet prvků na čip	1
	Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs	51 nC při 10 V
	Materiál tranzistoru	Si
	Maximální pracovní teplota	+175 °C
	Minimální provozní teplota	-55 °C
	Výška	9.25mm

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ kanálu N
	Maximální stejnosměrný odběrový proud 80 A
	Maximální napětí kolektor/zdroj 40 V
	Series OptiMOS T2
	Typ balení I2PAK (TO-262)
	Typ montáže Průchozí otvor
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor kolektor/zdroj 3,7 mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Maximální prahové napětí řídicí elektrody 4V
	Minimální prahové napětí řídicí elektrody 2V
	Maximální ztrátový výkon 94 W
	Konfigurace tranzistoru Jednoduchý
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj -20 V, +20 V
	Šířka 4.4mm
	Délka 10mm
	Počet prvků na čip 1
	Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs 51 nC při 10 V
	Materiál tranzistoru Si
	Maximální pracovní teplota +175 °C
	Minimální provozní teplota -55 °C
	Výška 9.25mm

Nelze použít

Infineon OptiMOS™ T2 - výkonové tranzistory MOSFET

Infineon má novou řadu energeticky úsporných tranzistorů MOSFET s redukcí CO2 a elektrickými jednotkami. Nová produktová řada OptiMOS™ -T2 rozšiřuje stávající řady produktů OptiMOS™ -T a OptiMOS™.

Produkty OptiMOS™ jsou k dispozici ve vysoce výkonných balíčcích, které se zabývají nejnáročnějšími aplikacemi a poskytují plnou flexibilitu v omezených prostorách. Tyto produkty Infineon jsou navrženy tak, aby splňovaly požadavky na energetickou účinnost a hustotu energie na základě naostřených standardů nové generace pro regulaci napětí v počítačových aplikacích.

N-kanál – Režim rozlišení
Kvalifikováno pro AEC
MSL1 až Peak 260°
Provozní teplota 175 °C
Zelený výrobek (vyhovuje směrnici RoHS)

Tranzistory MOSFET, Infineon

Společnost Infineon nabízí velké a komplexní portfolio zařízení MOSFET, které zahrnuje rodiny CoolMOS, OptiMOS a StrongIRFET. Poskytují nejlepší výkon ve své třídě, který přináší vyšší efektivitu, hustotu energie a efektivitu nákladů. Návrhy vyžadující vysoce kvalitní a vylepšené funkce ochrany využívají standardy MOSFET AEC-Q101, které byly schváleny automobilovým průmyslem.

řada: OptiMOS T2MOSFET IPI80N04S403AKSA1 N-kanálový 80 A 40 V, I2PAK (TO-262), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Infineon OptiMOS™ T2 - výkonové tranzistory MOSFET

Související odkazy