řada: OptiMOS 3 MOSFET BSZ067N06LS3GATMA1 N-kanálový 20 A 60 V Infineon, TSDSON, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 754-5364
- Výrobní číslo:
- BSZ067N06LS3GATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Přidejte dalších 25 kusů a ušetřete 53,10 Kč
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 páska po 5 kusech)*
219,34 Kč
(bez DPH)
265,40 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
- Plus 9 900 jednotka(y) budou odesílané od 05. listopadu 2026
Ks | za jednotku | za pásku* | Úspora |
|---|---|---|---|
| 5 - 20 | 43,868 Kč | 219,34 Kč | - |
| 25 - 45 | 41,744 Kč | 208,72 Kč | 53,10 Kč |
| 50 - 120 | 37,544 Kč | 187,72 Kč | 316,20 Kč |
| 125 - 245 | 33,69 Kč | 168,45 Kč | 1 272,25 Kč |
| 250 + | 32,11 Kč | 160,55 Kč | 2 939,50 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 754-5364
- Výrobní číslo:
- BSZ067N06LS3GATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 20A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Řada | OptiMOS 3 | |
| Typ balení | TSDSON | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 12.1mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 23nC | |
| Přímé napětí Vf | 830mV | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -20V, +20V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 69W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Šířka | 3.4mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 3.4mm | |
| Výška | 1.1mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 20A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Řada OptiMOS 3 | ||
Typ balení TSDSON | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 12.1mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 23nC | ||
Přímé napětí Vf 830mV | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -20V, +20V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 69W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Šířka 3.4mm | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 3.4mm | ||
Výška 1.1mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Infineon OptiMOS™3 - výkonové MOSFET, 60 až 80 V.
Tranzistory MOSFET, Infineon
Související odkazy
- řada: OptiMOS 3 MOSFET N-kanálový 20 A 60 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS-TM3 MOSFET N-kanálový 63 A 60 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET + Dioda BSZ100N06NSATMA1 N-kanálový 40 A 60 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS-TM3 MOSFET BSZ068N06NSATMA1 N-kanálový 63 A 60 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS 3 MOSFET BSZ110N06NS3GATMA1 N-kanálový 20 A 60 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET N-kanálový 40 A 30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET N-kanálový 40 A 25 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET N-kanálový 126 A 40 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
