řada: OptiMOS MOSFET + Dioda BSZ100N06NSATMA1 Typ N-kanálový 40 A 60 V Infineon, TSDSON, počet kolíků: 8 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 220-7362
- Výrobní číslo:
- BSZ100N06NSATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 20 kusech)*
323,58 Kč
(bez DPH)
391,54 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 1 820 jednotka(y) budou odesílané od 10. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 16,179 Kč | 323,58 Kč |
| 100 - 180 | 15,364 Kč | 307,28 Kč |
| 200 - 480 | 14,734 Kč | 294,68 Kč |
| 500 - 980 | 14,079 Kč | 281,58 Kč |
| 1000 + | 13,116 Kč | 262,32 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 220-7362
- Výrobní číslo:
- BSZ100N06NSATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET + Dioda | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 40A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Typ balení | TSDSON | |
| Řada | OptiMOS | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 1mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 36W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 12nC | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 1.2mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 5.35mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET + Dioda | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 40A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Typ balení TSDSON | ||
Řada OptiMOS | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 1mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 36W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 12nC | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 1.2mm | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 5.35mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Systém Infineon OptimOS 5 60V je optimalizován pro synchronní opravu napájecích zdrojů Switched Mode (SMPS), jako jsou servery a stolní počítače a nabíječka tabletu. Kromě toho jsou tato zařízení ideální volbou pro širokou škálu průmyslových aplikací, včetně řízení motoru, solárního mikroměniče a rychlého přepínání DC-DC měniče.
Optimalizované pro synchronní usměrnění
O 40 % nižší R DS (ON) než u alternativních zařízení
40% zlepšení FOM nad podobnými zařízeními
Vyhovuje směrnici RoHS – neobsahuje halogeny
Stupeň MSL1
Nejvyšší účinnost systému
Vyžadováno méně paralelních zapojení
Zvýšená hustota výkonu
Snížení nákladů na systém
Velice nízký překmit napětí
Související odkazy
- řada: OptiMOS MOSFET + Dioda Typ N-kanálový 40 A 60 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET Typ N-kanálový 46 A 60 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový N
- řada: OptiMOS MOSFET BSZ099N06LS5ATMA1 Typ N-kanálový 46 A 60 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový N
- řada: OptiMOS 3 MOSFET Typ N-kanálový 20 A 60 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS-TM3 MOSFET Typ N-kanálový 63 A 60 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS 3 MOSFET BSZ110N06NS3GATMA1 Typ N-kanálový 20 A 60 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS-TM3 MOSFET BSZ068N06NSATMA1 Typ N-kanálový 63 A 60 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS 3 MOSFET BSZ067N06LS3GATMA1 Typ N-kanálový 20 A 60 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení