řada: OptiMOS MOSFET + Dioda BSZ100N06NSATMA1 N-kanálový 40 A 60 V Infineon, TSDSON, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 220-7362
- Výrobní číslo:
- BSZ100N06NSATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Přidejte dalších 100 kusů a ušetřete 5%
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 20 kusech)*
474,00 Kč
(bez DPH)
573,60 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
- Odeslání od 11. listopadu 2027
Ks | za jednotku | za balení* | Úspora |
|---|---|---|---|
| 20 - 80 | 23,70 Kč | 474,00 Kč | - |
| 100 - 180 | 22,502 Kč | 450,04 Kč | 5% |
| 200 - 480 | 21,576 Kč | 431,52 Kč | 8% |
| 500 - 980 | 20,625 Kč | 412,50 Kč | 12% |
| 1000 + | 19,192 Kč | 383,84 Kč | 19% |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 220-7362
- Výrobní číslo:
- BSZ100N06NSATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET + Dioda | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 40A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Typ balení | TSDSON | |
| Řada | OptiMOS | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 1mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 12nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 36W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 5.35mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 1.2mm | |
| Šířka | 6.1mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET + Dioda | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 40A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Typ balení TSDSON | ||
Řada OptiMOS | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 1mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 12nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 36W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 5.35mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 1.2mm | ||
Šířka 6.1mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
MOSFET a dioda Infineon řady OptiMOS, maximální zdrojové napětí vypouštění 60 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 40 A – BSZ100N06NSATMA1
Charakteristiky a výhody:
• Maximální hodnota RDS(on) 1 mΩ minimalizuje ztráty při vedení při zátěži
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 40 A podporuje vysoké proudové výkonové stupně
• Typický náboj hradla 12 nC umožňuje řízené spínání
• Maximální ztrátový výkon 36 W umožňuje krátkodobě udržet tepelnou zátěž
• Limit hradla-zdroje 20 V zajišťuje prostor pro obvody pohonu
Aplikace
• Ideální pro přepínání výstupních stupňů měničů DC/DC
• Používá se s polovičními můstky s pohonem motoru vyžadujícími vysoký proud
• Lze použít pro správu akumulátoru a přepínání zátěže
• Používá se pro regulaci bodu zatížení v kompaktních systémech
Jaký rozsah teplot může tolerovat při provozu?
Jaká metoda montáže je vyžadována pro montáž?
Kolik připojovacích kolíků je k dispozici pro uspořádání desek plošných spojů?
Jaký režim vedení kanálu používá?
Související odkazy
- řada: OptiMOS MOSFET + Dioda BSZ100N06NSATMA1 N-kanálový 40 A 60 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET N-kanálový 40 A 30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET N-kanálový 40 A 25 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET N-kanálový 126 A 40 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET N-kanálový 100 A 25 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET BSC009NE2LSATMA1 N-kanálový 100 A 25 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET BSZ0904NSIATMA1 N-kanálový 40 A 30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET BSZ060NE2LSATMA1 N-kanálový 40 A 25 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
