řada: OptiMOS-TM3 MOSFET BSZ068N06NSATMA1 N-kanálový 63 A 60 V Infineon, TSDSON, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 222-4629
- Výrobní číslo:
- BSZ068N06NSATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 15 kusech)*
356,67 Kč
(bez DPH)
431,57 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 19. října 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | 23,778 Kč | 356,67 Kč |
| 75 - 135 | 22,592 Kč | 338,88 Kč |
| 150 - 360 | 21,637 Kč | 324,56 Kč |
| 375 - 735 | 20,682 Kč | 310,23 Kč |
| 750 + | 19,266 Kč | 288,99 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 222-4629
- Výrobní číslo:
- BSZ068N06NSATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 63A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Typ balení | TSDSON | |
| Řada | OptiMOS-TM3 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 6.8mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 46W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 17nC | |
| Přímé napětí Vf | 1V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 5.35mm | |
| Výška | 1.2mm | |
| Šířka | 6.1mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 63A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Typ balení TSDSON | ||
Řada OptiMOS-TM3 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 6.8mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 46W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 17nC | ||
Přímé napětí Vf 1V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 5.35mm | ||
Výška 1.2mm | ||
Šířka 6.1mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Konstrukce tranzistorů MOSFET Infineon, známé také jako tranzistory MOSFET, představuje ‚polovodičové tranzistory s polovodičovým efektem na bázi oxidu kovu’. MOSFETy jsou tranzistorová zařízení, která jsou řízena kondenzátorem. „Field-Effect“ znamená, že jsou řízeny napětím. Cílem MOSFET je řídit tok proudu procházejícího ze zdroje do svorek pro vypouštění.
Povrchová vrstva bez obsahu olova; Vyhovuje RoHS
Vynikající tepelná odolnost testováno 100% lavinovou lavinou
Bez halogenů podle normy IEC61249-2-23
Související odkazy
- řada: OptiMOS-TM3 MOSFET N-kanálový 63 A 60 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS-TM3 MOSFET N-kanálový 40 A 100 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS-TM3 MOSFET N-kanálový 114 A 40 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS-TM3 MOSFET BSZ028N04LSATMA1 N-kanálový 114 A 40 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS-TM3 MOSFET BSZ150N10LS3GATMA1 Typ N-kanálový 40 A 100 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: OptiMOS MOSFET N-kanálový 100 A 25 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET N-kanálový 40 A 30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET N-kanálový 126 A 40 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení