řada: OptiMOS TMOSFET IPD90N04S304ATMA1 N-kanálový 90 A 40 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS:: 753-3030
Výrobní číslo:: IPD90N04S304ATMA1
Výrobce:: Infineon

řada: OptiMOS TMOSFET IPD90N04S304ATMA1 N-kanálový 90 A 40 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 2 kusech)*

92,09 Kč

(bez DPH)

111,428 Kč

(s DPH)

Informace o zásobách jsou momentálně nepřístupné - Ověřte si to později

Ks	za jednotku	za balení*
2 - 18	46,045 Kč	92,09 Kč
20 +	39,81 Kč	79,62 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 753-3030
Výrobní číslo:: IPD90N04S304ATMA1
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ kanálu	N
	Maximální stejnosměrný odběrový proud	90 A
	Maximální napětí kolektor/zdroj	40 V
	Series	OptiMOS T
	Typ balení	DPAK (TO-252)
	Typ montáže	Povrchová montáž
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor kolektor/zdroj	3,6 mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Maximální prahové napětí řídicí elektrody	4V
	Minimální prahové napětí řídicí elektrody	2.1V
	Maximální ztrátový výkon	136 W
	Konfigurace tranzistoru	Jednoduchý
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj	-20 V, +20 V
	Délka	6.5mm
	Šířka	6.22mm
	Maximální pracovní teplota	+175 °C
	Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs	60 nC při 10 V
	Počet prvků na čip	1
	Materiál tranzistoru	Si
	Výška	2.3mm
	Minimální provozní teplota	-55 °C

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ kanálu N
	Maximální stejnosměrný odběrový proud 90 A
	Maximální napětí kolektor/zdroj 40 V
	Series OptiMOS T
	Typ balení DPAK (TO-252)
	Typ montáže Povrchová montáž
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor kolektor/zdroj 3,6 mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Maximální prahové napětí řídicí elektrody 4V
	Minimální prahové napětí řídicí elektrody 2.1V
	Maximální ztrátový výkon 136 W
	Konfigurace tranzistoru Jednoduchý
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj -20 V, +20 V
	Délka 6.5mm
	Šířka 6.22mm
	Maximální pracovní teplota +175 °C
	Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs 60 nC při 10 V
	Počet prvků na čip 1
	Materiál tranzistoru Si
	Výška 2.3mm
	Minimální provozní teplota -55 °C

Infineon OptiMOS™T - výkonové tranzistory

Produkty OptiMOS™ jsou k dispozici ve vysoce výkonných balíčcích, které se zabývají nejnáročnějšími aplikacemi a poskytují plnou flexibilitu v omezených prostorách. Tyto produkty Infineon jsou navrženy tak, aby splňovaly požadavky na energetickou účinnost a hustotu energie na základě naostřených standardů nové generace pro regulaci napětí v počítačových aplikacích.

N-kanál – Režim rozlišení
Kvalifikováno pro automobilový průmysl AEC Q101
MSL1 až Peak 260°
Provozní teplota 175 °C
Zelený výrobek (vyhovuje směrnici RoHS)

Tranzistory MOSFET, Infineon

Společnost Infineon nabízí velké a komplexní portfolio zařízení MOSFET, které zahrnuje rodiny CoolMOS, OptiMOS a StrongIRFET. Poskytují nejlepší výkon ve své třídě, který přináší vyšší efektivitu, hustotu energie a efektivitu nákladů. Návrhy vyžadující vysoce kvalitní a vylepšené funkce ochrany využívají standardy MOSFET AEC-Q101, které byly schváleny automobilovým průmyslem.

řada: OptiMOS TMOSFET IPD90N04S304ATMA1 N-kanálový 90 A 40 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Infineon OptiMOS™T - výkonové tranzistory

Související odkazy