AEC-Q101, řada: SIPMOS MOSFET BSP149H6327XTSA1 Typ N-kanálový 660 mA 200 V Infineon, SOT-223, počet kolíků: 4 kolíkový

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 jednotka)*

33,10 Kč

(bez DPH)

40,05 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 356 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
  • Plus 1 490 jednotka(y) budou odesílané od 11. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
1 - 933,10 Kč
10 - 4931,37 Kč
50 - 9930,13 Kč
100 - 24928,65 Kč
250 +26,68 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
354-5720
Číslo zboží společnosti Distrelec:
302-83-878
Výrobní číslo:
BSP149H6327XTSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

660mA

Maximální napětí na zdroji Vds

200V

Typ balení

SOT-223

Řada

SIPMOS

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

4

Maximální odpor zdroje Rds

1.8Ω

Režim kanálu

Vyčerpání

Typický náboj brány Qg @ Vgs

11nC

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální ztrátový výkon Pd

1.8W

Přímé napětí Vf

1.2V

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

No

Délka

6.5mm

Výška

1.6mm

Automobilový standard

AEC-Q101

MOSFETy Infineon řady SIPMOS®, maximální trvalý proud na odtoku 660 mA, maximální ztrátový výkon 1,8 W - BSP149H6327XTSA1


Tento tranzistor MOSFET je základní součástkou určenou pro řadu elektronických aplikací, která nabízí efektivní výkon v kompaktním pouzdře pro povrchovou montáž. Je vhodný pro řízení automatizačních obvodů a je vhodný pro uživatele z oblasti elektroniky, elektrotechniky a strojírenství. Charakteristika vyčerpávacího režimu zlepšuje řízení spínacích aplikací, takže je vhodnou volbou pro inženýry.

Vlastnosti a výhody


• Maximální napětí drain-source 200 V pro vysokonapěťové aplikace

• Možnost trvalého odběru proudu až 660 mA

• Využívá technologii SIPMOS pro konzistentní výkon

• V souladu s RoHS s bezolovnatým pokovením Pb

• dv/dt pro lepší odolnost proti kolísání napětí

Aplikace


• Ovladač v automatizačních systémech

• Spínané napájecí zdroje pro řízení spotřeby energie

• Automobilová elektronika v souladu s normami AEC-Q101

Jaký význam má charakteristika vyčerpávacího režimu?


Režim vyčerpání umožňuje efektivní řízení tranzistoru MOSFET, což umožňuje efektivní spínání i při nižších napětích, což je výhodné v různých elektronických konstrukcích.

Jak zařízení zvládá tepelné problémy?


Funguje v širokém teplotním rozsahu od -55 °C do +150 °C, čímž zajišťuje spolehlivý výkon i v extrémních tepelných podmínkách a je podpořen účinným řízením teploty.

Jaké jsou hodnoty prahového napětí hradla pro tuto součástku?


Prahové napětí hradla se pohybuje od -2,1 V do -1 V, což poskytuje univerzální možnosti spínání pro různé požadavky na obvody.

Jaké jsou důsledky klasifikace třídy ESD?


Třída ESD 1B označuje konstrukci, která odolává elektrostatickým výbojům o napětí 500 až 600 V, což zvyšuje spolehlivost zařízení v citlivých aplikacích.

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.