řada: STP80N MOSFET STP80N1K1K6 N-kanálový 5 A 800 V STMicroelectronics, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 287-7046
- Výrobní číslo:
- STP80N1K1K6
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 tuba po 50 kusech)*
1 822,85 Kč
(bez DPH)
2 205,65 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 250 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | 36,457 Kč | 1 822,85 Kč |
| 250 - 450 | 34,743 Kč | 1 737,15 Kč |
| 500 + | 30,045 Kč | 1 502,25 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 287-7046
- Výrobní číslo:
- STP80N1K1K6
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 5A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 800V | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Řada | STP80N | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 1.1mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Přímé napětí Vf | 1.5V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 62W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 5.7nC | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 5A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 800V | ||
Typ balení TO-220 | ||
Řada STP80N | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 1.1mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Přímé napětí Vf 1.5V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 62W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 5.7nC | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Výkonové tranzistory MOSFET společnosti STMicroelectronics jsou navrženy s využitím špičkové technologie MDmesh K6, která vychází z 20 let zkušeností společnosti STMicroelectronics s technologií superjunction. Výsledek je nejlepší ve své třídě v oblasti odporu na plochu a nabíjení hradla pro aplikace vyžadující vynikající hustotu výkonu a vysokou účinnost.
Celosvětově nejlepší FOM
Ultra nízký náboj hradla
100 % lavinově testováno
Související odkazy
- řada: STP80N MOSFET STP80N1K1K6 N-kanálový 5 A 800 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET N-kanálový 11 A 800 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET N-kanálový 17 A 800 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STP MOSFET STP80N900K6 N-kanálový 6 A 800 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STP MOSFET STP80N600K6 N-kanálový 7 A 800 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET STP11NM80 N-kanálový 11 A 800 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STP MOSFET STP80N340K6 N-kanálový 12 A 800 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET STF11NM80 N-kanálový 11 A 800 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení