řada: STP MOSFET STP80N340K6 Typ N-kanálový 12 A 800 V STMicroelectronics, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 269-5164
- Výrobní číslo:
- STP80N340K6
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
265,58 Kč
(bez DPH)
321,36 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 476 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 132,79 Kč | 265,58 Kč |
| 20 - 98 | 108,09 Kč | 216,18 Kč |
| 100 - 198 | 82,33 Kč | 164,66 Kč |
| 200 + | 73,035 Kč | 146,07 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 269-5164
- Výrobní číslo:
- STP80N340K6
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 12A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 800V | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Řada | STP | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 340mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 115W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 17.8nC | |
| Přímé napětí Vf | 1.5V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 28.9mm | |
| Výška | 4.6mm | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 12A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 800V | ||
Typ balení TO-220 | ||
Řada STP | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 340mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 115W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 17.8nC | ||
Přímé napětí Vf 1.5V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 28.9mm | ||
Výška 4.6mm | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
N-kanálový výkonový tranzistor MOSFET společnosti STMicroelectronics je velmi vysokonapěťový tranzistor navržený s využitím nejvyšší technologie MDmesh K6, jehož výsledkem je nejvyšší třída odporu na plochu a náboj hradla pro aplikace vyžadující vynikající výkonovou hustotu a vysokou účinnost.
Mimořádně nízký náboj hradla
100% lavinové testování
Související odkazy
- řada: STP MOSFET STP80N340K6 Typ N-kanálový 12 A 800 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STP MOSFET STP80N600K6 Typ N-kanálový 7 A 800 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STP MOSFET STP80N900K6 Typ N-kanálový 6 A 800 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ N-kanálový 4.3 A 800 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET STP5NK80Z Typ N-kanálový 4.3 A 800 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET Typ N-kanálový 11 A 800 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET Typ N-kanálový 17 A 800 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení