MOSFET STP5NK80Z Typ N-kanálový 4.3 A 800 V STMicroelectronics, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 687-5358
- Výrobní číslo:
- STP5NK80Z
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
337,90 Kč
(bez DPH)
408,85 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 85 jednotka(y) budou odesílané od 17. srpna 2026
- Plus 10 jednotka(y) budou odesílané od 24. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 67,58 Kč | 337,90 Kč |
| 50 - 120 | 58,254 Kč | 291,27 Kč |
| 125 + | 45,684 Kč | 228,42 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 687-5358
- Výrobní číslo:
- STP5NK80Z
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 4.3A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 800V | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 2.4Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.6V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 110W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 32.4nC | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 10.4mm | |
| Výška | 9.15mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 4.3A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 800V | ||
Typ balení TO-220 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 2.4Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.6V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 110W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 32.4nC | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 10.4mm | ||
Výška 9.15mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Technologie N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700 V až 1200 V, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET, STMicroelectronics
Související odkazy
- MOSFET Typ N-kanálový 4.3 A 800 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh TO-220, počet kolíků: 3
- řada: MDmesh MOSFET Typ N-kanálový 11 A 800 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET Typ N-kanálový 17 A 800 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET STP18NM80 Typ N-kanálový 17 A 800 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STP MOSFET STP80N340K6 Typ N-kanálový 12 A 800 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STP MOSFET STP80N600K6 Typ N-kanálový 7 A 800 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení