řada: MASTERG MOSFET MASTERGAN4LTR Typ P, Typ N-kanálový 6.5 A 650 V STMicroelectronics, QFN-9, počet kolíků: 31
- Skladové číslo RS:
- 287-7043
- Výrobní číslo:
- MASTERGAN4LTR
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
283,16 Kč
(bez DPH)
342,62 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 300 jednotka(y) budou odesílané od 10. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 24 | 283,16 Kč |
| 25 - 49 | 254,84 Kč |
| 50 - 99 | 229,08 Kč |
| 100 - 249 | 206,42 Kč |
| 250 + | 181,51 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 287-7043
- Výrobní číslo:
- MASTERGAN4LTR
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | Typ P, Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 6.5A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Typ balení | QFN-9 | |
| Řada | MASTERG | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 31 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 300mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -40°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 40mW | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 1.5nC | |
| Maximální provozní teplota | 125°C | |
| Normy/schválení | RoHS, ECOPACK | |
| Délka | 9mm | |
| Výška | 1mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu Typ P, Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 6.5A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Typ balení QFN-9 | ||
Řada MASTERG | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 31 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 300mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -40°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 40mW | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 1.5nC | ||
Maximální provozní teplota 125°C | ||
Normy/schválení RoHS, ECOPACK | ||
Délka 9mm | ||
Výška 1mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- TH
Mikrokontrolér STMicroelectronics je pokročilý napájecí systém v balení, který integruje ovladač hradla a dva tranzistory GaN s vylepšeným režimem v polomůstkovém uspořádání. Integrované výkonové GaN mají RDS(ON) 225 mΩ, blokovací napětí drain-source 650 V, zatímco vysokou stranu vestavěného ovladače hradla lze snadno napájet integrovanou zaváděcí diodou.
Nulová ztráta při zpětném zotavení
Ochrana UVLO na VCC
Interní bootstrap dioda
Funkce blokování
Související odkazy
- řada: MASTERG MOSFET MASTERGAN4LTR Typ P QFN-9, počet kolíků: 31
- řada: MASTERG MOSFET MASTERGAN1LTR Typ N QFN-9, počet kolíků: 31
- STMicroelectronics Univerzální ovladač Univerzální použití 6.5 A QFN
- STMicroelectronics Univerzální ovladač MASTERGAN4TR Univerzální použití 6.5 A QFN
- řada: IPD MOSFET Typ N-kanálový 31 A 650 V Infineon, TO-252 Vylepšení
- řada: IPD MOSFET IPD60R280PFD7SAUMA1 Typ N-kanálový 31 A 650 V Infineon, TO-252 Vylepšení
- STMicroelectronics Modul budiče hradla MASTERGAN5TR 2 QFN
- STMicroelectronics Budič hradla Budič hradla QFN
