řada: MASTERG MOSFET MASTERGAN1LTR Typ N, Typ P-kanálový 9.7 A 650 V STMicroelectronics, QFN-9, počet kolíků: 31
- Skladové číslo RS:
- 287-7041
- Výrobní číslo:
- MASTERGAN1LTR
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Získejte množstevní slevu na nákup
Přidejte dalších 10 kusů a ušetřete 360,60 Kč
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
158,82 Kč
(bez DPH)
192,17 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Poslední zásoby RS
- Posledních 263 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa
Ks | za jednotku | Úspora |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 158,82 Kč | - |
| 10 - 24 | 122,76 Kč | 360,60 Kč |
| 25 - 99 | 113,62 Kč | 1 130,00 Kč |
| 100 - 999 | 105,22 Kč | 5 360,00 Kč |
| 1000 + | 103,99 Kč | 54 830,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 287-7041
- Výrobní číslo:
- MASTERGAN1LTR
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | Typ N, Typ P | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 9.7A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Řada | MASTERG | |
| Typ balení | QFN-9 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 31 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 220mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 2nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 40mW | |
| Minimální provozní teplota | -40°C | |
| Maximální provozní teplota | 125°C | |
| Délka | 9mm | |
| Výška | 1mm | |
| Šířka | 9mm | |
| Normy/schválení | RoHS, ECOPACK | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu Typ N, Typ P | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 9.7A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Řada MASTERG | ||
Typ balení QFN-9 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 31 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 220mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 2nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 40mW | ||
Minimální provozní teplota -40°C | ||
Maximální provozní teplota 125°C | ||
Délka 9mm | ||
Výška 1mm | ||
Šířka 9mm | ||
Normy/schválení RoHS, ECOPACK | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- TH
Mikrokontrolér STMicroelectronics je pokročilý napájecí systém v balení, který integruje ovladač hradla a dva tranzistory GaN s vylepšeným režimem v polomůstkovém uspořádání. Integrované výkonové GaN mají RDS(ON) 150 mΩ, blokovací napětí drain-source 650 V, zatímco vysokou stranu vestavěného ovladače hradla lze snadno napájet integrovanou zaváděcí diodou.
Nulová ztráta při zpětném zotavení
Ochrana UVLO na VCC
Interní bootstrap dioda
Funkce blokování
Související odkazy
- řada: MASTERG MOSFET MASTERGAN1LTR Typ N QFN-9, počet kolíků: 31
- řada: MASTERG MOSFET MASTERGAN4LTR Typ P QFN-9, počet kolíků: 31
- STMicroelectronics Modul budiče hradla MASTERGAN5TR 2 QFN
- STMicroelectronics Budič hradla Budič hradla QFN
- STMicroelectronics Budič hradla MASTERGAN2 Budič hradla QFN
- STMicroelectronics Univerzální ovladač Univerzální použití 6.5 A QFN
- STMicroelectronics Univerzální ovladač MASTERGAN4TR Univerzální použití 6.5 A QFN
- řada: IPD MOSFET N-kanálový 31 A 650 V Infineon, TO-252 Vylepšení