řada: SIS MOSFET SIS4634LDN-T1-GE3 N-kanálový 8 A 60 V Vishay, 1212-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 279-9975
- Výrobní číslo:
- SIS4634LDN-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
175,86 Kč
(bez DPH)
212,79 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 5 670 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 17,586 Kč | 175,86 Kč |
| 50 - 90 | 13,14 Kč | 131,40 Kč |
| 100 - 240 | 11,658 Kč | 116,58 Kč |
| 250 - 990 | 11,535 Kč | 115,35 Kč |
| 1000 + | 11,288 Kč | 112,88 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 279-9975
- Výrobní číslo:
- SIS4634LDN-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 8A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Řada | SIS | |
| Typ balení | 1212-8 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.029Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 11nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 19.8W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 3.3mm | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 8A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Řada SIS | ||
Typ balení 1212-8 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.029Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 11nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 19.8W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 3.3mm | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
MOSFET Vishay je MOSFET s N-kanálem a tranzistor v něm je vyroben z materiálu známého jako křemík.
Výkonový MOSFET TrenchFET
100% testování Rg a UIS
Snižuje ztráty výkonu spojené se spínáním
Zařízení zcela bez obsahu olova (Pb)
Související odkazy
- řada: SIS MOSFET SIS4634LDN-T1-GE3 N-kanálový 8 A 60 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SIS MOSFET SIS112LDN-T1-GE3 N-kanálový 8.8 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SiS MOSFET SISD5300DN-T1-GE3 N-kanálový 198 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SIS MOSFET SISS66DN-T1-GE3 N-kanálový 178.3 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SIS MOSFET SiSA12BDN-T1-GE3 N-kanálový 87 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: SIS MOSFET SiSS588DN-T1-GE3 N-kanálový 58.1 A 80 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: SIS MOSFET SISS66DN-T1-GE3 Typ N-kanálový 178.3 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: SiS MOSFET SISD4604LDN-T1-UE3 N-kanálový 91 A 60 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení