řada: SIRS MOSFET SIRS5100DP-T1-GE3 N-kanálový 225 A 100 V Vishay, SO-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 279-9970
- Výrobní číslo:
- SIRS5100DP-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Momentálně nedostupné
Litujeme, nevíme, kdy tato položka bude opět skladem.
Alternativa
Tento produkt není v současné chvíli dostupný. Prohlédněte si alternativní výrobek, který jsme pro Vás našli.
Kus (v jednotce baleni à 2)
220,82 Kč
(bez DPH)
267,19 Kč
(s DPH)
- Skladové číslo RS:
- 279-9970
- Výrobní číslo:
- SIRS5100DP-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 225A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Řada | SIRS | |
| Typ balení | SO-8 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.0025Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 240W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 102nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 5mm | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 225A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Řada SIRS | ||
Typ balení SO-8 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.0025Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 240W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 102nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 5mm | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
MOSFET Vishay je MOSFET s N-kanálem a tranzistor v něm je vyroben z materiálu známého jako křemík.
Výkonový MOSFET TrenchFET
Zařízení zcela bez obsahu olova (Pb)
Velmi nízká hodnota RDS x hodnota Qg podle zásluh
100% testování Rg a UIS
Související odkazy
- řada: SIRS MOSFET SIRS5100DP-T1-GE3 N-kanálový 225 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SIRS MOSFET SIRS4302DP-T1-GE3 N-kanálový 478 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SIRS MOSFET SIRS5800DP-T1-GE3 N-kanálový 265 A 80 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SiR MOSFET SIRS5100DP-T1-GE3 N-kanálový 241 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SIRS MOSFET SIRS4401DP-T1-GE3 Typ P-kanálový 198 A 40 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SIRS MOSFET SIRS5800DP-T1-GE3 Typ N-kanálový 265 A 80 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SIRS MOSFET SIRS4301DP-T1-GE3 Typ P-kanálový 227 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SIRS MOSFET SIRS4302DP-T1-GE3 Typ N-kanálový 478 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení