řada: SIRS MOSFET SIRS4302DP-T1-GE3 N-kanálový 478 A 30 V Vishay, SO-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 279-9963
- Výrobní číslo:
- SIRS4302DP-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
187,23 Kč
(bez DPH)
226,55 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 5 990 jednotka(y) budou odesílané od 26. října 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | 93,615 Kč | 187,23 Kč |
| 50 - 98 | 86,205 Kč | 172,41 Kč |
| 100 - 248 | 76,20 Kč | 152,40 Kč |
| 250 - 998 | 75,09 Kč | 150,18 Kč |
| 1000 + | 73,605 Kč | 147,21 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 279-9963
- Výrobní číslo:
- SIRS4302DP-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 478A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Řada | SIRS | |
| Typ balení | SO-8 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.00057Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 230nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 208W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 5mm | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 478A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Řada SIRS | ||
Typ balení SO-8 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.00057Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 230nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 208W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 5mm | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
Tranzistor MOSFET řady Vishay SIRS, maximální ztrátový výkon 208 W, maximální zdrojové napětí 30 V – SIRS4302DP-T1-GE3
Tento MOSFET je vysokoproudové vylepšovací zařízení s N-kanálem navržené pro náročná prostředí se spínáním napájení. Pracuje v širokém teplotním rozsahu a je dodáván v kompaktním pouzdru SO-8 pro povrchovou montáž, který je vhodný pro integraci do hustě obsazených napájecích sestav. Součást je v souladu s RoHS a je určena pro průmyslové aplikace, kde je vyžadována tepelná odolnost a značná manipulace s nepřetržitým proudem.
Charakteristiky a výhody:
• Velmi nízký odpor při zapnutí 0.00057 Ω pro minimální ztráty při vedení
• Vysoký nepřetržitý vypouštěcí proud 478 A umožňuje přepínání při velkém zatížení
• Jmenovité napětí zdroje 30 V pro nízkonapěťové napájecí stupně
• Kapacita rozptylu výkonu 208 W pro podporu provozu s vysokým výkonem
• Nabíjení hradla 230 nC pro předvídatelné spínání
• Tolerance zdroje hradla 20 V pro robustní napětí pohonu
• Vysoký nepřetržitý vypouštěcí proud 478 A umožňuje přepínání při velkém zatížení
• Jmenovité napětí zdroje 30 V pro nízkonapěťové napájecí stupně
• Kapacita rozptylu výkonu 208 W pro podporu provozu s vysokým výkonem
• Nabíjení hradla 230 nC pro předvídatelné spínání
• Tolerance zdroje hradla 20 V pro robustní napětí pohonu
Aplikace
• Vhodné pro vysokoproudé měniče DC/DC v serverových stojanech
• Ideální pro paralelní uspořádání MOSFET v napájecích modulech
• Používá se se synchronním usměrňováním v napájecích zdrojích
• Lze použít pro stupně pohonu motoru vyžadující vysoký špičkový proud
• Vhodné pro průmyslové spínací regulátory pracující v širokém teplotním rozsahu
• Ideální pro paralelní uspořádání MOSFET v napájecích modulech
• Používá se se synchronním usměrňováním v napájecích zdrojích
• Lze použít pro stupně pohonu motoru vyžadující vysoký špičkový proud
• Vhodné pro průmyslové spínací regulátory pracující v širokém teplotním rozsahu
Jak se chová při extrémních okolních teplotách?
Je specifikován pro provoz v rozsahu -55 °C až 150 °C a podporuje aplikace vystavené náročným tepelným podmínkám.
Jaká metoda montáže se doporučuje pro řízení teploty?
Pro bezpečný rozptýlení až 208 W je nutné umístění na desku plošných spojů s vhodnou měděnou plochou nebo tepelnými vodiči pro povrchovou montáž.
Jaké úvahy o pohonu hradla jsou nutné pro rychlé přepínání?
Očekává se typický náboj hradla 230 nC
ovladače musí dodávat dostatečný špičkový proud, aby bylo dosaženo požadovaných časů náběhu a poklesu bez nadměrného rozptylu.
Je zařízení vhodné pro kvalifikační programy v automobilovém průmyslu?
Součást není klasifikována jako automobilová
by měla být vhodnost pro programy vozidel posouzena podle specifických požadavků na kvalifikaci.
Související odkazy
- řada: SIRS MOSFET SIRS4302DP-T1-GE3 N-kanálový 478 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SIRS MOSFET SIRS5800DP-T1-GE3 N-kanálový 265 A 80 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SIRS MOSFET SIRS5100DP-T1-GE3 N-kanálový 225 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SiR MOSFET SIRS4302DP-T1-GE3 N-kanálový 518 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SIRS MOSFET SIRS4401DP-T1-GE3 Typ P-kanálový 198 A 40 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SIRS MOSFET SIRS4301DP-T1-GE3 Typ P-kanálový 227 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SIRS MOSFET SIRS4600DP-T1-RE3 N-kanálový 334 A 60 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SIRS MOSFET SIRS4400DP-T1-RE3 N-kanálový 440 A 40 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení