řada: SIRS MOSFET SIRS4302DP-T1-GE3 Typ N-kanálový 478 A 30 V Vishay, SO-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 279-9963
- Výrobní číslo:
- SIRS4302DP-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
187,23 Kč
(bez DPH)
226,548 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 5 990 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | 93,615 Kč | 187,23 Kč |
| 50 - 98 | 86,205 Kč | 172,41 Kč |
| 100 - 248 | 76,20 Kč | 152,40 Kč |
| 250 - 998 | 75,09 Kč | 150,18 Kč |
| 1000 + | 73,605 Kč | 147,21 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 279-9963
- Výrobní číslo:
- SIRS4302DP-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 478A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Řada | SIRS | |
| Typ balení | SO-8 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.00057Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 230nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 208W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Délka | 5mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 478A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Řada SIRS | ||
Typ balení SO-8 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.00057Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 230nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 208W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Délka 5mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
MOSFET řady Vishay SIRS, maximální zdrojové napětí vypouštění 30 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 478 A – SIRS4302DP-T1-GE3
Tento MOSFET je zařízení s N-kanálem pro povrchovou montáž navržené pro vysokoproudé napájecí spínání v průmyslové elektronice. Funguje jako tranzistor s vylepšovacím režimem pro řízené vedení ve stupních stejnosměrného napájení a topologii měniče a nabízí zvýšenou teplotní toleranci pro náročné provozní podmínky.
Charakteristiky a výhody:
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 478 A pro aplikace s vysokou zátěží • Nízká hodnota Rds(on) 0,00057 Ω pro minimalizaci ztrát při vedení • Jmenovitá hodnota odtoku-zdroje 30 V pro nízkonapěťové napájecí systémy • typické náboje hradla 230 nC pro předvídatelné spínací chování • Rozptýlení výkonu 208 W pro zvládnutí významných tepelných zátěží • Maximální teplota spoje 150 °C pro použití při zvýšených teplotách
Aplikace
• Vhodné pro měniče DC/DC v jednotkách rozvodu napájení • Ideální pro stupně pohonu motoru v průmyslové automatizaci • Používá se pro vysokoproudé synchronní usměrňování v konstrukcích PSU • Vhodné pro spínání napájení v systémech řízení baterií • Lze použít pro přepínání zátěže v serverových a telekomunikačních napájecích stojanech
Jaký typ montáže vyžaduje a kolik kolíků je přítomno?
Dodává se v pouzdru pro povrchovou montáž SO-8 s 8-kolíkovou konfigurací pro montáž na PCB.
V jakém rozsahu okolních teplot může spolehlivě pracovat?
Zařízení podporuje provoz od -55 °C až do specifikované maximální teploty spoje 150 °C.
Jaké limity napětí hradla by měli konstruktéři dodržovat?
Napětí zdroje hradla nesmí překročit ±20 V, aby se zabránilo napětí oxidu hradla.
Je toto zařízení v souladu s environmentálními omezeními pro nebezpečné látky?
Součást splňuje požadavky RoHS pro omezené materiály.
Související odkazy
- řada: SIRS MOSFET SIRS4302DP-T1-GE3 Typ N-kanálový 478 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SIRS MOSFET SIRS4301DP-T1-GE3 Typ P-kanálový 227 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SIRS MOSFET SIRS4401DP-T1-GE3 Typ P-kanálový 198 A 40 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SIRS MOSFET SIRS5100DP-T1-GE3 Typ N-kanálový 225 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SIRS MOSFET SIRS5800DP-T1-GE3 Typ N-kanálový 265 A 80 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SIRS MOSFET SIRS4400DP-T1-RE3 Typ N-kanálový 440 A 40 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SIRS MOSFET SIRS4600DP-T1-RE3 Typ N-kanálový 334 A 60 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- MOSFET SI4101DY-T1-GE3 Typ P-kanálový 25.7 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový