řada: SIRS MOSFET SIRS4302DP-T1-GE3 Typ N-kanálový 478 A 30 V Vishay, SO-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 279-9962
Výrobní číslo:: SIRS4302DP-T1-GE3
Výrobce:: Vishay

řada: SIRS MOSFET SIRS4302DP-T1-GE3 Typ N-kanálový 478 A 30 V Vishay, SO-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (1 naviják po 3000 kusech)*

107 568,00 Kč

(bez DPH)

130 158,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Skladem

3 000 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
3000 +	35,856 Kč	107 568,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 279-9962
Výrobní číslo:: SIRS4302DP-T1-GE3
Výrobce:: Vishay

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Vishay
	Typ kanálu	Typ N
	Typ produktu	MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	478A
	Maximální napětí na zdroji Vds	30V
	Typ balení	SO-8
	Řada	SIRS
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	8
	Maximální odpor zdroje Rds	0.00057Ω
	Režim kanálu	Vylepšení
	Maximální ztrátový výkon Pd	208W
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	20V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	230nC
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální provozní teplota	150°C
	Délka	5mm
	Normy/schválení	RoHS
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Vishay
	Typ kanálu Typ N
	Typ produktu MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 478A
	Maximální napětí na zdroji Vds 30V
	Typ balení SO-8
	Řada SIRS
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 8
	Maximální odpor zdroje Rds 0.00057Ω
	Režim kanálu Vylepšení
	Maximální ztrátový výkon Pd 208W
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 230nC
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální provozní teplota 150°C
	Délka 5mm
	Normy/schválení RoHS
	Automobilový standard Ne

Datasheet - SIRS4302DP-T1-GE3

MOSFET řady Vishay SIRS, maximální zdrojové napětí vypouštění 30 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 478 A – SIRS4302DP-T1-GE3

Tento MOSFET je zařízení s N-kanálem pro povrchovou montáž navržené pro vysokoproudé napájecí spínání v průmyslové elektronice. Funguje jako tranzistor s vylepšovacím režimem pro řízené vedení ve stupních stejnosměrného napájení a topologii měniče a nabízí zvýšenou teplotní toleranci pro náročné provozní podmínky.

Charakteristiky a výhody:

• Nepřetržitý vypouštěcí proud 478 A pro aplikace s vysokou zátěží • Nízká hodnota Rds(on) 0,00057 Ω pro minimalizaci ztrát při vedení • Jmenovitá hodnota odtoku-zdroje 30 V pro nízkonapěťové napájecí systémy • typické náboje hradla 230 nC pro předvídatelné spínací chování • Rozptýlení výkonu 208 W pro zvládnutí významných tepelných zátěží • Maximální teplota spoje 150 °C pro použití při zvýšených teplotách

Aplikace

• Vhodné pro měniče DC/DC v jednotkách rozvodu napájení • Ideální pro stupně pohonu motoru v průmyslové automatizaci • Používá se pro vysokoproudé synchronní usměrňování v konstrukcích PSU • Vhodné pro spínání napájení v systémech řízení baterií • Lze použít pro přepínání zátěže v serverových a telekomunikačních napájecích stojanech

Jaký typ montáže vyžaduje a kolik kolíků je přítomno?

Dodává se v pouzdru pro povrchovou montáž SO-8 s 8-kolíkovou konfigurací pro montáž na PCB.

V jakém rozsahu okolních teplot může spolehlivě pracovat?

Zařízení podporuje provoz od -55 °C až do specifikované maximální teploty spoje 150 °C.

Jaké limity napětí hradla by měli konstruktéři dodržovat?

Napětí zdroje hradla nesmí překročit ±20 V, aby se zabránilo napětí oxidu hradla.

Je toto zařízení v souladu s environmentálními omezeními pro nebezpečné látky?

Součást splňuje požadavky RoHS pro omezené materiály.