řada: SiR MOSFET SIR5623DP-T1-RE3 Typ P-kanálový 37.1 A 60 V Vishay, SO-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 279-9953
- Výrobní číslo:
- SIR5623DP-T1-RE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 4 kusech)*
249,47 Kč
(bez DPH)
301,86 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 2 944 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 4 - 56 | 62,368 Kč | 249,47 Kč |
| 60 - 96 | 59,158 Kč | 236,63 Kč |
| 100 - 236 | 52,55 Kč | 210,20 Kč |
| 240 - 996 | 51,623 Kč | 206,49 Kč |
| 1000 + | 50,513 Kč | 202,05 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 279-9953
- Výrobní číslo:
- SIR5623DP-T1-RE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 37.1A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Typ balení | SO-8 | |
| Řada | SiR | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.024Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 59.5W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 33nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 5.15mm | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 37.1A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Typ balení SO-8 | ||
Řada SiR | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.024Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 59.5W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 33nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 5.15mm | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
MOSFET Vishay je MOSFET s P-kanálem a tranzistor v něm je vyroben z materiálu známého jako křemík.
Výkonový MOSFET nové generace
100% testování Rg a UIS
Produkt FOM s mimořádně nízkou hodnotou RDS x Qg
Zařízení zcela bez obsahu olova (Pb)
Související odkazy
- řada: SiR MOSFET SIR5623DP-T1-RE3 Typ P-kanálový 37.1 A 60 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SiR MOSFET SiR4602LDP-T1-RE3 N-kanálový 52.1 A 60 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: SiR MOSFET SiR582DP-T1-RE3 N-kanálový 116 A 80 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: SiR MOSFET SIR5112DP-T1-RE3 N-kanálový 42.6 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SiR MOSFET SIR5110DP-T1-RE3 N-kanálový 47.6 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SiR MOSFET SIR5108DP-T1-RE3 N-kanálový 55.9 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SiR MOSFET SiR584DP-T1-RE3 N-kanálový 100 A 80 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: SiR MOSFET SIR5808DP-T1-RE3 N-kanálový 66.8 A 80 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení