řada: SIJH MOSFET SIJH5100E-T1-GE3 N-kanálový 277 A 100 V Vishay, 8x8L, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 jednotka)*

176,61 Kč

(bez DPH)

213,70 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 1 990 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
1 - 49176,61 Kč
50 - 99173,15 Kč
100 - 249159,07 Kč
250 - 999156,10 Kč
1000 +152,65 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
279-9938
Výrobní číslo:
SIJH5100E-T1-GE3
Výrobce:
Vishay
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Vishay

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

277A

Maximální napětí na zdroji Vds

100V

Typ balení

8x8L

Řada

SIJH

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

4

Maximální odpor zdroje Rds

0.00189Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální ztrátový výkon Pd

333W

Typický náboj brány Qg @ Vgs

128nC

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

RoHS

Délka

7.9mm

Automobilový standard

Ne

MOSFET Vishay je MOSFET s N-kanálem a tranzistor v něm je vyroben z materiálu známého jako křemík.

Výkonový MOSFET TrenchFET

Zařízení zcela bez obsahu olova (Pb)

Velmi nízká hodnota RDS x hodnota Qg podle zásluh

100% testování Rg a UIS

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.