řada: SIJH MOSFET SIJH5100E-T1-GE3 N-kanálový 277 A 100 V Vishay, 8x8L, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 279-9937
- Výrobní číslo:
- SIJH5100E-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Momentálně nedostupné
Litujeme, nevíme, kdy tato položka bude opět skladem.
Alternativa
Tento produkt není v současné chvíli dostupný. Prohlédněte si alternativní výrobek, který jsme pro Vás našli.
Kus
176,61 Kč
(bez DPH)
213,70 Kč
(s DPH)
- Skladové číslo RS:
- 279-9937
- Výrobní číslo:
- SIJH5100E-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 277A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Řada | SIJH | |
| Typ balení | 8x8L | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 4 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.00189Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 128nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 333W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Délka | 7.9mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 277A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Řada SIJH | ||
Typ balení 8x8L | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 4 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.00189Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 128nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 333W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Délka 7.9mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
MOSFET Vishay je MOSFET s N-kanálem a tranzistor v něm je vyroben z materiálu známého jako křemík.
Výkonový MOSFET TrenchFET
Zařízení zcela bez obsahu olova (Pb)
Velmi nízká hodnota RDS x hodnota Qg podle zásluh
100% testování Rg a UIS
Související odkazy
- řada: SIJH MOSFET SIJH5100E-T1-GE3 N-kanálový 277 A 100 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: SIJH MOSFET SIJH5700E-T1-GE3 N-kanálový 174 A 150 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SIJH602E-T1-GE3 N-kanálový 437 A 60 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SIJH112E-T1-GE3 N-kanálový 225 A 100 V počet kolíků: 4 kolíkový
- AEC-Q101 MOSFET SIJH600E-T1-GE3 N-kanálový 37 A 60 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový Vyčerpání
- řada: N-Channel 80 V MOSFET SIJH800E-T1-GE3 N-kanálový 299 A 80 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový
- řada: SI MOSFET SI4848BDY-T1-GE3 N-kanálový 5 A 150 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SI MOSFET SI1480BDH-T1-GE3 N-kanálový 1.9 A 100 V Vishay počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení