řada: SIJH MOSFET SIJH5700E-T1-GE3 N-kanálový 174 A 150 V Vishay, PowerPAK (8x8L), počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 268-8325
- Výrobní číslo:
- SIJH5700E-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
177,84 Kč
(bez DPH)
215,19 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 1 800 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 49 | 177,84 Kč |
| 50 - 99 | 159,81 Kč |
| 100 - 249 | 130,91 Kč |
| 250 - 999 | 128,44 Kč |
| 1000 + | 94,60 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 268-8325
- Výrobní číslo:
- SIJH5700E-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 174A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 150V | |
| Řada | SIJH | |
| Typ balení | PowerPAK (8x8L) | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 4 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.0041Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 14nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 333W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Délka | 7.9mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 174A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 150V | ||
Řada SIJH | ||
Typ balení PowerPAK (8x8L) | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 4 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.0041Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 14nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 333W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Délka 7.9mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Výkonový tranzistor MOSFET TrenchFET generace 5 s N-kanálem od společnosti Vishay je zařízení zcela bez obsahu olova. Používá se v aplikacích, jako je synchronní usměrňování, řízení pohonu motoru, správa baterií.
Velmi nízká hodnota
V souladu s ROHS
Testováno UIS 100 %
Související odkazy
- řada: SIJH MOSFET SIJH5700E-T1-GE3 N-kanálový 174 A 150 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: SIJH MOSFET SIJH5100E-T1-GE3 N-kanálový 277 A 100 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SIJH112E-T1-GE3 N-kanálový 225 A 100 V počet kolíků: 4 kolíkový
- řada: TrenchFET MOSFET SIJH602E-T1-GE3 N-kanálový 437 A 60 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET SIJH600E-T1-GE3 N-kanálový 37 A 60 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový Vyčerpání
- řada: N-Channel 80 V MOSFET SIJH800E-T1-GE3 N-kanálový 299 A 80 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový
- řada: N-Channel 80 V MOSFET SIJH800E-T1-GE3 Typ N-kanálový 299 A 80 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový
- řada: N-Channel 80 V MOSFET SIR122LDP-T1-RE3 N-kanálový 62.3 A 80 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový
