řada: SIHF MOSFET SIHF074N65E-GE3 Typ N-kanálový 14 A 650 V Vishay, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 279-9907
- Výrobní číslo:
- SIHF074N65E-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
167,96 Kč
(bez DPH)
203,23 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 994 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 167,96 Kč |
| 10 - 24 | 164,75 Kč |
| 25 - 99 | 161,29 Kč |
| 100 + | 158,33 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 279-9907
- Výrobní číslo:
- SIHF074N65E-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 14A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Řada | SIHF | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.079Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 8nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 39W | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Délka | 10.1mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 14A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Řada SIHF | ||
Typ balení TO-220 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.079Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 8nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 39W | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Délka 10.1mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
MOSFET řady Vishay SIHF, napětí zdroje vypouštění 650 V, nepřetržitý vypouštěcí proud 14 A – SIHF074N65E-GE3
Tento MOSFET je vysokonapěťový spínací tranzistor navržený pro převod výkonu a řízení v průmyslové elektronice. Funguje jako vylepšovací zařízení s N-kanálem v pouzdru TO-220 s průchozím otvorem, což poskytuje praktickou volbu pro opravitelné sestavy a prototypy, kde je vyžadována robustní manipulace s napětím a snadná montáž.
Charakteristiky a výhody:
• Jmenovitá hodnota drain-zdroj 650 V umožňuje vysokonapěťové spínací aplikace • Nepřetržitý vypouštěcí proud 14 A podporuje udržitelnou manipulaci se zátěží • Rds(on) 0,079 Ω snižuje ztráty při vedení při zátěži • Typický náboj hradla 8 nC zajišťuje předvídatelné spínací chování • Maximální jmenovitá hodnota hradla-zdroje 30 V umožňuje široké rozpětí pohonu hradla • Možnost rozptylu výkonu 39 W zvládá tepelné namáhání během provozu
Aplikace
• Vhodné pro vysokonapěťové spínané napájecí zdroje • Ideální pro přední konce průmyslových motorových pohonů • Používá se pro kroky korekce účiníku v měničích • Lze použít pro měniče a svařovací výkonovou elektroniku • Vhodné pro laboratorní prototypy a opravy průchozích otvorů
Jakému rozsahu teplot odolává během provozu?
Je specifikován pro provoz až do -55 °C a až do 150 °C maximální teploty spoje pro prostředí s vysokými teplotami.
Kolik montážních kolíků a jaké pouzdro používá?
Dodává se v pouzdru s průchozím otvorem TO-220 se třemi kolíky pro snadné připojení PCB nebo chladiče.
Jaká typická dynamická charakteristika ovlivňuje spínací ztráty?
Typický náboj hradla je 8 nC u jmenovitého pohonu hradla, což ovlivňuje spínací přechodovou energii a velikost budiče.
Je vhodný pro kvalifikační procesy v automobilovém průmyslu?
Není určen jako součást podle automobilové normy, a proto by se neměl používat tam, kde je vyžadována certifikace pro automobilovou výrobu.
Související odkazy
- řada: SIHF MOSFET SIHF074N65E-GE3 Typ N-kanálový 14 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SIHF MOSFET SIHF085N60EF-GE3 Typ N-kanálový 13 A 600 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET SiHF080N60E-GE3 Typ N-kanálový 14 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: EF MOSFET SIHP186N60EF-GE3 Typ N-kanálový 18 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: EF MOSFET SIHP125N60EF-GE3 Typ N-kanálový 25 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: EF MOSFET SiHP105N60EF-GE3 Typ N-kanálový 29 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET SiHA690N60E-GE3 Typ N-kanálový 4.3 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET SIHP690N60E-GE3 Typ N-kanálový 6.4 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení