MOSFET Typ N-kanálový 40 A 650 V onsemi, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (1 tuba po 50 kusech)*

3 565,10 Kč

(bez DPH)

4 313,75 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Poslední zásoby RS
  • Posledních 250 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa
Ks
za jednotku
za tubu*
50 +71,302 Kč3 565,10 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
178-4258
Výrobní číslo:
NTPF082N65S3F
Výrobce:
onsemi
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

onsemi

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

40A

Maximální napětí na zdroji Vds

650V

Typ balení

TO-220

Typ montáže

Průchozí otvor

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

82mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Typický náboj brány Qg @ Vgs

70nC

Maximální ztrátový výkon Pd

48W

Minimální provozní teplota

-55°C

Přímé napětí Vf

1.3V

Maximální napětí zdroje brány Vgs

30 V

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

No

Šířka

4.9 mm

Délka

10.63mm

Výška

16.12mm

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
CN
SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate.

Features

700 V @ TJ = 150 oC

Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 70 nC)

Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 680 pF)

Optimized Capacitance

Excellent body diode performance (low Qrr, robust body diode)

Typ. RDS(on) = 70 mΩ

Higher system reliability at low temperature operation

Lower switching loss

Lower switching loss

Lower peak Vds and lower Vgs oscillation

Higher system reliability in LLC and Phase shift full bridge Circuit

Applications

Telecommunication

Cloud system

Industrial

End Products

Telecom power

Server power

Solar / UPS

EV charger

Související odkazy