řada: SIHF MOSFET SIHF074N65E-GE3 N-kanálový 14 A 650 V Vishay, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 279-9906
- Výrobní číslo:
- SIHF074N65E-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (50 jednotky/-ek, do tubusu po 50 ks)*
6 171,65 Kč
(bez DPH)
7 467,70 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Poslední zásoby RS
- Posledních 950 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 123,433 Kč | 6 171,65 Kč |
| 100 + | 109,731 Kč | 5 486,55 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 279-9906
- Výrobní číslo:
- SIHF074N65E-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 14A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Řada | SIHF | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.079Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 8nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 39W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 10.1mm | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 14A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Řada SIHF | ||
Typ balení TO-220 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.079Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 8nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 39W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 10.1mm | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
MOSFET řady Vishay SIHF, maximální zdrojové napětí vypouštění 650 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 14 A – SIHF074N65E-GE3
Tento MOSFET je vysokonapěťový výkonový tranzistor s N-kanálem navržený pro montáž do průchozího otvoru v prostředí řízení napájení a spínání. Pracuje v rozšířeném teplotním rozsahu a je určen pro aplikace vyžadující velké napětí a střední proudovou kapacitu při současném splnění omezení RoHS.
Charakteristiky a výhody:
• Jmenovitý vypouštěcí proud 650 V umožňuje spínání při vysokém napětí
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 14 A podporuje trvalé napájení
• Rds(on) 0.079 Ω snižuje ztráty při vedení během provozu
• Rozptýlení výkonu 39 W umožňuje vyšší tepelný výkon
• Typické náboje hradla 8 nC zajišťuje citlivé spínací chování
• Tolerance hradla 30 V umožňuje široké napěťové rozpětí
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 14 A podporuje trvalé napájení
• Rds(on) 0.079 Ω snižuje ztráty při vedení během provozu
• Rozptýlení výkonu 39 W umožňuje vyšší tepelný výkon
• Typické náboje hradla 8 nC zajišťuje citlivé spínací chování
• Tolerance hradla 30 V umožňuje široké napěťové rozpětí
Aplikace
• Vhodné pro vysokonapěťové spínané napájecí zdroje
• Ideální pro průmyslové stupně měničů pro pohon motoru
• Používá se s topologií vysokonapěťových měničů DC/DC
• Lze použít pro konverzi energie z obnovitelných zdrojů
• Vhodné pro korekci účiníku v předních obvodech
• Ideální pro průmyslové stupně měničů pro pohon motoru
• Používá se s topologií vysokonapěťových měničů DC/DC
• Lze použít pro konverzi energie z obnovitelných zdrojů
• Vhodné pro korekci účiníku v předních obvodech
Jaké tepelné extrémy může toto zařízení tolerovat při provozu?
Je určen pro provoz v rozsahu -55 °C až 150 °C, což umožňuje použití v náročných tepelných prostředích, kde je vyžadována široká teplotní odolnost.
Jaký způsob montáže je vyžadován pro instalaci?
Součást používá pouzdro TO-220 s průchozím otvorem určené pro montáž na PCB se standardním chladičem pro lepší řízení teploty.
Jak charakteristika hradla ovlivňuje konstrukci spínání?
Typický náboj hradla 8 nC na specifikované úrovni pohonu hradla informuje o výběru ovladače hradla pro vyvážení rychlosti spínání a spotřeby energie pohonu.
Existují omezení napětí pohonu hradla, aby se zabránilo poškození?
Zařízení přijímá napětí mezi bránou a zdrojem až 30 V, takže konstrukce musí zajistit, aby budicí obvody nepřekročily tuto prahovou hodnotu.
Související odkazy
- řada: SIHF MOSFET SIHF074N65E-GE3 N-kanálový 14 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET SiHF080N60E-GE3 N-kanálový 14 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET SiHA690N60E-GE3 N-kanálový 4.3 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: EF MOSFET SIHP125N60EF-GE3 N-kanálový 25 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET N-kanálový 20 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET N-kanálový 20 A 650 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET N-kanálový 24 A 650 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET N-kanálový 36 A 650 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení