řada: OptiMOS-TM3 MOSFET Typ N-kanálový 80 A 100 V Infineon, PG-TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový N
- Skladové číslo RS:
- 273-7467
- Výrobní číslo:
- IPP086N10N3GXKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
82,75 Kč
(bez DPH)
100,128 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 454 jednotka(y) budou odesílané od 31. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 41,375 Kč | 82,75 Kč |
| 10 - 18 | 37,175 Kč | 74,35 Kč |
| 20 - 98 | 36,555 Kč | 73,11 Kč |
| 100 - 248 | 29,885 Kč | 59,77 Kč |
| 250 + | 26,555 Kč | 53,11 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 273-7467
- Výrobní číslo:
- IPP086N10N3GXKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 80A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Typ balení | PG-TO-220 | |
| Řada | OptiMOS-TM3 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Režim kanálu | N | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 42nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 125W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Přímé napětí Vf | 1V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Délka | 40mm | |
| Normy/schválení | IEC61249-2-21, JEDEC1 | |
| Šířka | 40mm | |
| Výška | 1.5mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 80A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Typ balení PG-TO-220 | ||
Řada OptiMOS-TM3 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Režim kanálu N | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 42nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 125W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Přímé napětí Vf 1V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Délka 40mm | ||
Normy/schválení IEC61249-2-21, JEDEC1 | ||
Šířka 40mm | ||
Výška 1.5mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
MOSFET Infineon je ideální pro vysokofrekvenční spínání a synchronní usměrňování. Tento MOSFET je kvalifikován podle normy JEDEC1 pro cílovou aplikaci. Jedná se o N-kanálový MOSFET a bez obsahu halogenů podle normy IEC61249 2 21.
Bezolovnatá povrchová úprava
V souladu s RoHS
Vynikající nabíjení hradla
Velmi nízký odpor při zapnutí
Související odkazy
- řada: OptiMOS-TM3 MOSFET IPP086N10N3GXKSA1 Typ N-kanálový 80 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový N
- řada: OptiMOS-TM3 MOSFET BSZ440N10NS3GATMA1 Typ N-kanálový 18 A 100 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový N
- řada: OptiMOS-TM3 MOSFET Typ N-kanálový 45 A 80 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový N
- řada: OptiMOS-TM3 MOSFET IPD135N08N3GATMA1 Typ N-kanálový 45 A 80 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový N
- řada: OptiMOS 3 MOSFET IPA600N25NM3SXKSA1 Typ N-kanálový 15 A 250 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: OptiMOS-TM3 MOSFET BSZ150N10LS3GATMA1 Typ N-kanálový 40 A 100 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: OptiMOS 3 MOSFET Typ N-kanálový 15 A 250 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS-TM3 MOSFET Typ N-kanálový 63 A 60 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení