řada: OptiMOS-TM3 MOSFET IPD135N08N3GATMA1 Typ N-kanálový 45 A 80 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový N
- Skladové číslo RS:
- 218-3041
- Výrobní číslo:
- IPD135N08N3GATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 20 kusech)*
550,82 Kč
(bez DPH)
666,50 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 10 340 jednotka(y) budou odesílané od 31. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 27,541 Kč | 550,82 Kč |
| 100 - 180 | 26,158 Kč | 523,16 Kč |
| 200 - 480 | 25,046 Kč | 500,92 Kč |
| 500 - 980 | 23,947 Kč | 478,94 Kč |
| 1000 + | 22,304 Kč | 446,08 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 218-3041
- Výrobní číslo:
- IPD135N08N3GATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 45A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 80V | |
| Řada | OptiMOS-TM3 | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 13.5mΩ | |
| Režim kanálu | N | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 19nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 79W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 6.22mm | |
| Délka | 6.73mm | |
| Výška | 2.41mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 45A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 80V | ||
Řada OptiMOS-TM3 | ||
Typ balení TO-252 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 13.5mΩ | ||
Režim kanálu N | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 19nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 79W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 6.22mm | ||
Délka 6.73mm | ||
Výška 2.41mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonový MOSFET řady N-channel Infineon OptiMOS™. OptiMOS™ je lídrem na trhu s vysoce účinnými řešeními pro výrobu energie (např. solární mikroměnič), napájení (např. server a telekomunikace) a spotřebu energie (např. elektrické vozidlo).
N-kanál, normální úroveň
100 % testovány ohledně lavinové funkčnosti
Povrchová vrstva bez obsahu olova
Související odkazy
- řada: OptiMOS-TM3 MOSFET Typ N-kanálový 45 A 80 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový N
- řada: OptiMOS-TM3 MOSFET Typ N-kanálový 80 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový N
- řada: OptiMOS-TM3 MOSFET IPP086N10N3GXKSA1 Typ N-kanálový 80 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový N
- řada: OptiMOS-TM3 MOSFET BSZ150N10LS3GATMA1 Typ N-kanálový 40 A 100 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: OptiMOS 5 MOSFET Typ N-kanálový 45 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS 5 MOSFET IPD053N06NATMA1 Typ N-kanálový 45 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS-TM3 MOSFET Typ N-kanálový 63 A 60 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS-TM3 MOSFET Typ N-kanálový 114 A 40 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení