řada: OptiMOS 3 MOSFET Typ N-kanálový 15 A 250 V Infineon, PG-TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 273-7457
- Výrobní číslo:
- IPA600N25NM3SXKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
118,56 Kč
(bez DPH)
143,46 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 496 jednotka(y) budou odesílané od 31. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 59,28 Kč | 118,56 Kč |
| 10 - 18 | 54,095 Kč | 108,19 Kč |
| 20 - 98 | 52,86 Kč | 105,72 Kč |
| 100 - 248 | 49,40 Kč | 98,80 Kč |
| 250 + | 45,45 Kč | 90,90 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 273-7457
- Výrobní číslo:
- IPA600N25NM3SXKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 15A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 250V | |
| Typ balení | PG-TO-220 | |
| Řada | OptiMOS 3 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 60mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 38W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 22nC | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 15A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 250V | ||
Typ balení PG-TO-220 | ||
Řada OptiMOS 3 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 60mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 38W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 22nC | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
MOSFET Infineon je ideální pro vysokofrekvenční spínání a synchronní usměrňování. Tento MOSFET je 100% lavinově testován a kvalifikován podle normy JEDEC. Jedná se o N-kanálový MOSFET a bez obsahu halogenů podle normy IEC61249 2 21.
Bezolovnatá povrchová úprava
V souladu s RoHS
Vynikající nabíjení hradla
Velmi nízký odpor při zapnutí
Související odkazy
- řada: OptiMOS 3 MOSFET IPA600N25NM3SXKSA1 Typ N-kanálový 15 A 250 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: OptiMOS 5 MOSFET Typ N-kanálový 87 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET Typ N-kanálový 90 A 80 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET Typ N-kanálový 6 A 950 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET Typ P-kanálový 4.3 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET Typ N-kanálový 4.7 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET Typ P-kanálový -16.4 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET Typ P-kanálový 6.5 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení