řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 173 A 60 V Infineon, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 273-3030
- Výrobní číslo:
- IRFS7537TRLPBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
278,62 Kč
(bez DPH)
337,13 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 760 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 55,724 Kč | 278,62 Kč |
| 25 - 45 | 46,534 Kč | 232,67 Kč |
| 50 - 95 | 42,928 Kč | 214,64 Kč |
| 100 - 245 | 39,718 Kč | 198,59 Kč |
| 250 + | 38,928 Kč | 194,64 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 273-3030
- Výrobní číslo:
- IRFS7537TRLPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 173A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 3.30mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 142nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 230W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS Compliant | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 173A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Typ balení TO-263 | ||
Řada HEXFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 3.30mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 142nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 230W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS Compliant | ||
MOSFET Infineon řady HEXFET, maximální napětí drain-zdroj 60 V, maximální nepřetržitý drainový proud 173 A – IRFS7537TRLPBF
Tento MOSFET je vysokoproudové vylepšovací zařízení s N-kanálem určené pro spínání napájení pro povrchovou montáž v náročných elektronických systémech. Pracuje v širokém rozsahu teplot vhodných pro náročná prostředí a zajišťuje značnou manipulaci s výkonem pro aplikace vyžadující efektivní vedení a řízené chování pohonu hradla.
Charakteristiky a výhody:
• Rozptýlení výkonu 230 W umožňuje trvalý provoz při vysokém zatížení
• Rds(on) 3,30 mΩ minimalizuje ztráty při vedení pro vyšší účinnost
• Nabíjení hradla 142 nC podporuje předvídatelný výkon spínání
• Tolerance napětí hradla 20 V chrání před přechodovými jevy
• Směrové napětí 1.2 V snižuje pokles napětí na vedeních
• Rds(on) 3,30 mΩ minimalizuje ztráty při vedení pro vyšší účinnost
• Nabíjení hradla 142 nC podporuje předvídatelný výkon spínání
• Tolerance napětí hradla 20 V chrání před přechodovými jevy
• Směrové napětí 1.2 V snižuje pokles napětí na vedeních
Aplikace
• Vhodné pro pohony stejnosměrných motorů v průmyslových řídicích systémech
• Ideální pro vysokoproudé napájecí zdroje a měniče
• Používá se s automobilovou elektronikou vyžadující široký rozsah teplot
• Lze použít pro spínané výkonové stupně v měničích
• Užitečné v tepelně řízených modulech rozvodu napájení
• Ideální pro vysokoproudé napájecí zdroje a měniče
• Používá se s automobilovou elektronikou vyžadující široký rozsah teplot
• Lze použít pro spínané výkonové stupně v měničích
• Užitečné v tepelně řízených modulech rozvodu napájení
Jaké jsou tepelné provozní limity pro spolehlivé použití?
Zařízení podporuje provoz v rozsahu -55 °C až 175 °C.
Jak typ pouzdra ovlivňuje montáž a řízení tepla?
Pouzdro TO-263 pro povrchovou montáž umožňuje nízkoprofilovou montáž na PCB a efektivní přenos tepla do měděných ploch.
Jaké vlastnosti kanálu určují spínací polaritu?
Jedná se o tranzistor s režimem zesílení N-kanálu, který vyžaduje kladný pohon hradla pro vedení.
Jakou špičkovou schopnost stejnosměrného proudu lze očekávat v obvodech pro vysoké zatížení?
Součást je určena pro nepřetržité vypouštěcí proudy až do 173 A.
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET IRFS7537TRLPBF N-kanálový 173 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 183 A 75 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 110 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 246 A 75 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 160 A 40 V Infineon počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 84 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 105 A 150 V Infineon počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 42 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení