řada: HEXFET MOSFET IRFS7537TRLPBF Typ N-kanálový 173 A 60 V Infineon, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 273-3029
- Výrobní číslo:
- IRFS7537TRLPBF
- Výrobce:
- Infineon
Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů
Mezisoučet (1 naviják po 800 kusech)*
14 189,60 Kč
(bez DPH)
17 169,60 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 02. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 800 + | 17,737 Kč | 14 189,60 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 273-3029
- Výrobní číslo:
- IRFS7537TRLPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 173A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 3.30mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 230W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 142nC | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS Compliant | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 173A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Typ balení TO-263 | ||
Řada HEXFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 3.30mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 230W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 142nC | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS Compliant | ||
Jednoduchý N-kanálový výkonový MOSFET Infineon HEXFET v pouzdru D2-Pak je optimalizován pro nejširší dostupnost od distribučních partnerů.
Kvalifikace produktu podle normy JEDEC
Měkčí dioda těla ve srovnání s předchozí generací křemíku
Průmyslová standardní napájecí pouzdro pro povrchovou montáž
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 173 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 14 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 400 A 40 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 293 A 60 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 190 A 100 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 128 A 75 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 18 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 180 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení