řada: HEXFET MOSFET IRFS7537TRLPBF N-kanálový 173 A 60 V Infineon, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 273-3029
Výrobní číslo:: IRFS7537TRLPBF
Výrobce:: Infineon

řada: HEXFET MOSFET IRFS7537TRLPBF N-kanálový 173 A 60 V Infineon, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (1 naviják po 800 kusech)*

14 189,60 Kč

(bez DPH)

17 169,60 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Dočasně vyprodáno

Odeslání od 24. února 2027

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
800 +	17,737 Kč	14 189,60 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 273-3029
Výrobní číslo:: IRFS7537TRLPBF
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ produktu	MOSFET
	Typ kanálu	N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	173A
	Maximální napětí na zdroji Vds	60V
	Řada	HEXFET
	Typ balení	TO-263
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor zdroje Rds	3.30mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	142nC
	Přímé napětí Vf	1.2V
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	20V
	Maximální ztrátový výkon Pd	230W
	Maximální provozní teplota	175°C
	Normy/schválení	RoHS Compliant

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ produktu MOSFET
	Typ kanálu N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 173A
	Maximální napětí na zdroji Vds 60V
	Řada HEXFET
	Typ balení TO-263
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor zdroje Rds 3.30mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Minimální provozní teplota -55°C
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 142nC
	Přímé napětí Vf 1.2V
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V
	Maximální ztrátový výkon Pd 230W
	Maximální provozní teplota 175°C
	Normy/schválení RoHS Compliant

Datasheet - IRFS7537TRLPBF

MOSFET Infineon řady HEXFET, maximální napětí drain-zdroj 60 V, maximální nepřetržitý drainový proud 173 A – IRFS7537TRLPBF

Tento MOSFET je vysokoproudové vylepšovací zařízení s N-kanálem určené pro spínání napájení pro povrchovou montáž v náročných elektronických systémech. Pracuje v širokém rozsahu teplot vhodných pro náročná prostředí a zajišťuje značnou manipulaci s výkonem pro aplikace vyžadující efektivní vedení a řízené chování pohonu hradla.

Charakteristiky a výhody:

• Rozptýlení výkonu 230 W umožňuje trvalý provoz při vysokém zatížení
• Rds(on) 3,30 mΩ minimalizuje ztráty při vedení pro vyšší účinnost
• Nabíjení hradla 142 nC podporuje předvídatelný výkon spínání
• Tolerance napětí hradla 20 V chrání před přechodovými jevy
• Směrové napětí 1.2 V snižuje pokles napětí na vedeních

Aplikace

• Vhodné pro pohony stejnosměrných motorů v průmyslových řídicích systémech
• Ideální pro vysokoproudé napájecí zdroje a měniče
• Používá se s automobilovou elektronikou vyžadující široký rozsah teplot
• Lze použít pro spínané výkonové stupně v měničích
• Užitečné v tepelně řízených modulech rozvodu napájení

Jaké jsou tepelné provozní limity pro spolehlivé použití?

Zařízení podporuje provoz v rozsahu -55 °C až 175 °C.

Jak typ pouzdra ovlivňuje montáž a řízení tepla?

Pouzdro TO-263 pro povrchovou montáž umožňuje nízkoprofilovou montáž na PCB a efektivní přenos tepla do měděných ploch.

Jaké vlastnosti kanálu určují spínací polaritu?

Jedná se o tranzistor s režimem zesílení N-kanálu, který vyžaduje kladný pohon hradla pro vedení.

Jakou špičkovou schopnost stejnosměrného proudu lze očekávat v obvodech pro vysoké zatížení?

Součást je určena pro nepřetržité vypouštěcí proudy až do 173 A.