řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 183 A 75 V Infineon, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 273-3032
- Výrobní číslo:
- IRFS7734TRLPBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
53,85 Kč
(bez DPH)
65,158 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 798 jednotka(y) budou odesílané od 29. května 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 26,925 Kč | 53,85 Kč |
| 10 - 48 | 26,18 Kč | 52,36 Kč |
| 50 - 98 | 25,44 Kč | 50,88 Kč |
| 100 - 248 | 24,945 Kč | 49,89 Kč |
| 250 + | 24,33 Kč | 48,66 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 273-3032
- Výrobní číslo:
- IRFS7734TRLPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 183A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 75V | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 3.5mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 290W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 270nC | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS, Lead-Free | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 183A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 75V | ||
Typ balení TO-263 | ||
Řada HEXFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 3.5mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 290W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 270nC | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS, Lead-Free | ||
Jednoduchý N-kanálový výkonový MOSFET Infineon HEXFET v pouzdru D2-Pak je optimalizován pro nejširší dostupnost od distribučních partnerů.
Kvalifikace produktu podle normy JEDEC
Měkčí dioda těla ve srovnání s předchozí generací křemíku
Průmyslová standardní napájecí pouzdro pro povrchovou montáž
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET IRFS7734TRLPBF Typ N-kanálový 183 A 75 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET Výkonový MOSFET Typ N-kanálový 75 A 75 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 128 A 75 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 246 A 75 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 269 A 75 V Infineon počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 100 A 75 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 106 A 75 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRF3808STRLPBF Typ N-kanálový 106 A 75 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení