řada: IPB057N06N MOSFET Typ N-kanálový 45 A 60 V Infineon, PG-TO263-3, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 273-2998
- Výrobní číslo:
- IPB057N06NATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
225,26 Kč
(bez DPH)
272,565 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 950 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 45,052 Kč | 225,26 Kč |
| 50 - 95 | 41,792 Kč | 208,96 Kč |
| 100 - 245 | 36,852 Kč | 184,26 Kč |
| 250 - 495 | 35,568 Kč | 177,84 Kč |
| 500 + | 31,37 Kč | 156,85 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 273-2998
- Výrobní číslo:
- IPB057N06NATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 45A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Řada | IPB057N06N | |
| Typ balení | PG-TO263-3 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 5.7mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 27nC | |
| Minimální provozní teplota | -5°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 83W | |
| Přímé napětí Vf | 1V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Délka | 40mm | |
| Normy/schválení | JEDEC 1, IEC61249-2-21 | |
| Výška | 1.5mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 45A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Řada IPB057N06N | ||
Typ balení PG-TO263-3 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 5.7mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 27nC | ||
Minimální provozní teplota -5°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 83W | ||
Přímé napětí Vf 1V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Délka 40mm | ||
Normy/schválení JEDEC 1, IEC61249-2-21 | ||
Výška 1.5mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonový MOSFET Infineon je optimalizován pro synchronní usměrňování v spínaných napájecích zdrojích (SMPS), jako jsou například ty, které se nacházejí v serverech a stolních počítačích a nabíječkách tabletů. Kromě toho jsou tato zařízení ideální volbou pro širokou škálu průmyslových aplikací
Nejvyšší účinnost systému
Vyžaduje méně paralelizace
Zvýšená hustota výkonu
Snížení nákladů na systém
Související odkazy
- řada: IPB057N06N MOSFET IPB057N06NATMA1 Typ N-kanálový 45 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 PG-TO263-3, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 PG-TO263-3, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 PG-TO263-3, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 PG-TO263-3-2, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IMBG65 MOSFET IMBG65R026M2H Typ N-kanálový 68 A 650 V počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: IMBG65 MOSFET IMBG65R033M2H Typ N-kanálový 58 A 650 V počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: IMBG65 MOSFET IMBG65R010M2H Typ N-kanálový 158 A 650 V počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
