AEC-Q101, řada: OptiMOS MOSFET Typ N-kanálový 45 A 650 V Infineon, PG-TO263-3, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 jednotka)*

256,19 Kč

(bez DPH)

309,99 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 116 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
1 - 49256,19 Kč
50 - 99232,43 Kč
100 - 249213,66 Kč
250 - 499196,86 Kč
500 +183,03 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
273-2776
Výrobní číslo:
IPB65R050CFD7AATMA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

45A

Maximální napětí na zdroji Vds

650V

Typ balení

PG-TO263-3

Řada

OptiMOS

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

0.05Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální ztrátový výkon Pd

227W

Typický náboj brány Qg @ Vgs

102nC

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

RoHS

Automobilový standard

AEC-Q101

MOSFET Infineon je napájecí zařízení 650 V CoolMOS CFD7A. Jedná se o nejnovější generaci předních automobilových kvalifikovaných vysokonapěťových MOSFETů CoolMOS společnosti Infineon. Kromě dobře známých atributů vysoké kvality a spolehlivosti, které vyžaduje automobilový průmysl, nabízí nová řada CoolMOS CFD7A integrovanou rychlou tělesnou diodu a lze ji použít pro PFC a rezonanční spínací topologie, jako je plný můstek s fázovým posunem ZVS a LLC.

Nižší spínací ztráty

Vysoká kvalita a spolehlivost

100% lavinový test

Optimalizováno pro vyšší napětí baterie

Související odkazy