řada: OptiMOSTM Výkonový MOSFET Typ N-kanálový 100 A 30 V Infineon, PG-TDSON-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 273-2814
- Výrobní číslo:
- ISC011N03L5SATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
210,44 Kč
(bez DPH)
254,63 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Poslední zásoby RS
- Posledních 80 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 42,088 Kč | 210,44 Kč |
| 50 - 495 | 41,10 Kč | 205,50 Kč |
| 500 - 995 | 39,816 Kč | 199,08 Kč |
| 1000 - 2495 | 38,828 Kč | 194,14 Kč |
| 2500 + | 38,038 Kč | 190,19 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 273-2814
- Výrobní číslo:
- ISC011N03L5SATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | Výkonový MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 100A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Řada | OptiMOSTM | |
| Typ balení | PG-TDSON-8 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 1.1mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 72nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 96W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu Výkonový MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 100A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Řada OptiMOSTM | ||
Typ balení PG-TDSON-8 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 1.1mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 72nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 96W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
Infineon MOSFET je N-kanálový MOSFET a je optimalizován pro vysoce výkonný buckový měnič. Tento MOSFET je certifikován podle normy JEDEC a bez obsahu halogenů podle normy IEC61249 2 21.
V souladu s RoHS
Bezolovnatá povrchová úprava
Velmi nízký odpor při zapnutí
Vynikající tepelná odolnost
Související odkazy
- řada: OptiMOSTM Výkonový MOSFET ISC011N03L5SATMA1 Typ N-kanálový 100 A 30 V Infineon počet kolíků: 8
- AEC-Q101 PG-TDSON-8-34, počet kolíků: 8
- AEC-Q101 PG-TDSON-8-43, počet kolíků: 8
- AEC-Q101 PG-TDSON-8-33, počet kolíků: 8
- AEC-Q101 TDSON, počet kolíků: 8 kolíkový Infineon Vylepšení
- řada: ISZ OptiMOSTM výkonový MOSFET Typ N-kanálový 40 A 30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: ISC MOSFET ISC110N12NM6ATMA1 Typ N-kanálový 62 A 120 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: ISC MOSFET ISC320N12LM6ATMA1 Typ N-kanálový 24 A 120 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení