řada: OptiMOSTM Výkonový MOSFET ISC011N03L5SATMA1 Typ N-kanálový 100 A 30 V Infineon, PG-TDSON-8, počet kolíků: 8

Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
Skladové číslo RS:
273-2813
Výrobní číslo:
ISC011N03L5SATMA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

Výkonový MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

100A

Maximální napětí na zdroji Vds

30V

Řada

OptiMOSTM

Typ balení

PG-TDSON-8

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

8

Maximální odpor zdroje Rds

1.1mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální provozní teplota

-55°C

Typický náboj brány Qg @ Vgs

72nC

Přímé napětí Vf

1V

Maximální ztrátový výkon Pd

96W

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS

Automobilový standard

Ne

Infineon MOSFET je N-kanálový MOSFET a je optimalizován pro vysoce výkonný buckový měnič. Tento MOSFET je certifikován podle normy JEDEC a bez obsahu halogenů podle normy IEC61249 2 21.

V souladu s RoHS

Bezolovnatá povrchová úprava

Velmi nízký odpor při zapnutí

Vynikající tepelná odolnost

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.