řada: BSO080P03S H OptiMOSTM-P MOSFET Typ P-kanálový -14.9 A -30 V Infineon, PG-DSO-8, počet kolíků: 8 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 273-5242
- Výrobní číslo:
- BSO080P03SHXUMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
180,80 Kč
(bez DPH)
218,75 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 90 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 36,16 Kč | 180,80 Kč |
| 50 - 95 | 30,134 Kč | 150,67 Kč |
| 100 - 245 | 27,812 Kč | 139,06 Kč |
| 250 - 995 | 25,786 Kč | 128,93 Kč |
| 1000 + | 25,244 Kč | 126,22 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 273-5242
- Výrobní číslo:
- BSO080P03SHXUMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | -14.9A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | -30V | |
| Typ balení | PG-DSO-8 | |
| Řada | BSO080P03S H OptiMOSTM-P | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 2.5W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | -102nC | |
| Přímé napětí Vf | -0.82V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 1.5mm | |
| Normy/schválení | IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS | |
| Délka | 40mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id -14.9A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds -30V | ||
Typ balení PG-DSO-8 | ||
Řada BSO080P03S H OptiMOSTM-P | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 2.5W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs -102nC | ||
Přímé napětí Vf -0.82V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 1.5mm | ||
Normy/schválení IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS | ||
Délka 40mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
MOSFET Infineon je výkonový MOSFET s P-kanálem. Tyto produkty důsledně splňují nejvyšší požadavky na kvalitu a výkon v klíčových specifikacích pro návrh napájecích systémů, jako je stavový odpor a hodnota zásluhových charakteristik. Má provozní teplotu 150 stupňů Celsia a je certifikován podle normy JEDEC pro cílové aplikace.
Logická úroveň
Bez obsahu halogenů
V souladu s RoHS
Bezolovnatá povrchová úprava
Režim vylepšení
Související odkazy
- řada: BSO080P03S H OptiMOSTM-P MOSFET BSO080P03SHXUMA1 Typ P-kanálový -14.9 A -30 V Infineon počet kolíků: 8
- řada: OptiMOS MOSFET Typ P-kanálový 14.9 A -30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET BSO301SPHXUMA1 Typ P-kanálový 14.9 A -30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS P MOSFET Typ P-kanálový 14.9 A 20 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS P MOSFET BSO201SPHXUMA1 Typ P-kanálový 14.9 A 20 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Infineon Modul budiče hradla Budič hradla PG-DSO-8 EP
- řada: ISA MOSFET ISA170230C04LMDSXTMA1 Typ N PG-DSO-8, počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: ISA MOSFET ISA250300C04LMDSXTMA1 Typ N PG-DSO-8, počet kolíků: 8 kolíkový