řada: OptiMOS MOSFET IPD046N08N5ATMA1 Typ N-kanálový 90 A 80 V Infineon, PG-TO252-3, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (1 naviják po 2500 kusech)*

58 095,00 Kč

(bez DPH)

70 295,00 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 06. ledna 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za cívku*
2500 +23,238 Kč58 095,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
273-2783
Výrobní číslo:
IPD046N08N5ATMA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

90A

Maximální napětí na zdroji Vds

80V

Typ balení

PG-TO252-3

Řada

OptiMOS

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

4.6mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální provozní teplota

-55°C

Typický náboj brány Qg @ Vgs

42nC

Maximální ztrátový výkon Pd

125W

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS

Automobilový standard

Ne

Infineon MOSFET je N-kanálový 80V MOSFET. Je ideální pro vysokofrekvenční spínání a synchronní usměrňování. Tento MOSFET má provozní teplotu 175 stupňů Celsia. Tento MOSFET je certifikován podle normy JEDEC1 pro cílovou aplikaci a je bez obsahu halogenů podle normy IEC61249 2 21.

V souladu s RoHS

Bezolovnatá povrchová úprava

Vynikající nabíjení hradla

Velmi nízký odpor při zapnutí

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.