řada: OptiMOS MOSFET IPD95R1K2P7ATMA1 N-kanálový 6 A 950 V Infineon, PG-TO252-3, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 273-2785
Výrobní číslo:: IPD95R1K2P7ATMA1
Výrobce:: Infineon

řada: OptiMOS MOSFET IPD95R1K2P7ATMA1 N-kanálový 6 A 950 V Infineon, PG-TO252-3, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (1 naviják po 2500 kusech)*

24 332,50 Kč

(bez DPH)

29 442,50 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Dočasně vyprodáno

Odeslání od 22. března 2027

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
2500 +	9,733 Kč	24 332,50 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 273-2785
Výrobní číslo:: IPD95R1K2P7ATMA1
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ produktu	MOSFET
	Typ kanálu	N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	6A
	Maximální napětí na zdroji Vds	950V
	Typ balení	PG-TO252-3
	Řada	OptiMOS
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor zdroje Rds	1.2Ω
	Režim kanálu	Vylepšení
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	15nC
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	20V
	Maximální ztrátový výkon Pd	52W
	Maximální provozní teplota	150°C
	Normy/schválení	RoHS
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ produktu MOSFET
	Typ kanálu N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 6A
	Maximální napětí na zdroji Vds 950V
	Typ balení PG-TO252-3
	Řada OptiMOS
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor zdroje Rds 1.2Ω
	Režim kanálu Vylepšení
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 15nC
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V
	Maximální ztrátový výkon Pd 52W
	Maximální provozní teplota 150°C
	Normy/schválení RoHS
	Automobilový standard Ne

Datasheet - IPD95R1K2P7ATMA1

MOSFET Infineon řady OptiMOS, ztrátový výkon 52 W, napětí 950 V – IPD95R1K2P7ATMA1

Tento MOSFET je vysokonapěťový N-kanálový tranzistor navržený pro spínání napájení pro povrchovou montáž v náročných teplotních rozmezí. Funguje jako zařízení s režimem zesílení, které je vhodné pro aplikace, které vyžadují rovnováhu mezi odolností vůči napětí a mírným nepřetržitým proudem. Součást je dodávána v pouzdru PG-TO252-3 a splňuje environmentální omezení RoHS.

Charakteristiky a výhody:

• Kapacita 950 V odvodňovacího zdroje umožňující vysokonapěťové spínání
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 6 A podporující středně výkonné zátěže
• Rozptýlení výkonu 52 W pro tepelnou manipulaci v měničích
• RDS(on) 1.2 Ω minimalizuje ztráty při vedení při nízkých frekvencích
• Typický náboj hradla 15 nC umožňující řízené přepínací přechody

Aplikace

• Vhodné pro vysokonapěťové výkonové měniče a měniče
• Ideální pro nízkofrekvenční spínání v průmyslových zdrojích
• Používá se s deskami pro povrchovou montáž vyžadujícími kompaktní napájecí zařízení
• Lze použít pro systémy pracující v rozsahu -55 °C až 150 °C
• Používá se pro diskrétní spínací stupně při řízení napájení

Jaké limity napětí hradla musí být dodržovány pro správný provoz?

Hradlo nesmí překročit ±20 V vzhledem ke zdroji, aby se zabránilo elektrickému přetížení.

Jak se zařízení chová při extrémních teplotách?

Udržuje specifikovaný provoz v rozsahu -55 °C až 150 °C, což umožňuje široké tepelné rozpětí pro náročné prostředí.

Jaké pouzdro a montážní metoda používá?

Dodává se v pouzdru PG-TO252-3 určeném pro povrchovou montáž pro zajištění kompaktní integrace PCB.

Je tato součást vhodná pro splnění automobilových norem?

Není specifikováno, že splňuje normy pro automobilový průmysl, a nelze předpokládat, že splňuje normy.