řada: SIHP MOSFET SIHP150N60E-GE3 N-kanálový 22 A 650 V Vishay, JEDEC TO-220AB, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 268-8319
- Výrobní číslo:
- SIHP150N60E-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
Alternativa
Tento produkt není v současné chvíli dostupný. Prohlédněte si alternativní výrobek, který jsme pro Vás našli.
Kus (v jednotce baleni à 2)
220,82 Kč
(bez DPH)
267,19 Kč
(s DPH)
- Skladové číslo RS:
- 268-8319
- Výrobní číslo:
- SIHP150N60E-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 22A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Řada | SIHP | |
| Typ balení | JEDEC TO-220AB | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.158Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 36nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 179W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 22A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Řada SIHP | ||
Typ balení JEDEC TO-220AB | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.158Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 36nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 179W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
MOSFET řady Vishay SIHP, maximální zdrojové napětí vypouštění 650 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 22 A – SIHP150N60E-GE3
Tento n-kanálový MOSFET je vysokonapěťový výkonový tranzistor navržený pro spínací a zesilovací úkoly v náročných elektronických systémech. Pracuje spolehlivě v širokém rozsahu teplot a je dodáván v pouzdru TO-220AB s průchozím otvorem, který je vhodný pro běžnou montáž na desku. Zařízení splňuje směrnice RoHS a je určeno pro aplikace vyžadující velké napětí a střední proudovou kapacitu.
Charakteristiky a výhody:
• Jmenovitý vypouštěcí proud 650 V umožňuje použití při vysokonapěťovém spínání
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 22 A podporuje trvalý průtok zátěže
• Rds(on) 0.158 Ω snižuje ztráty při vedení v napájecích cestách
• Typický náboj hradla 36 nC umožňuje předvídatelné spínací profily
• Maximální ztrátový výkon 179 W zvládne významné tepelné zatížení
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 22 A podporuje trvalý průtok zátěže
• Rds(on) 0.158 Ω snižuje ztráty při vedení v napájecích cestách
• Typický náboj hradla 36 nC umožňuje předvídatelné spínací profily
• Maximální ztrátový výkon 179 W zvládne významné tepelné zatížení
Aplikace
• Vhodné pro primární spínání vysokonapěťových SMPS
• Ideální pro fázové měniče průmyslových motorů
• Používá se s napájecími zdroji v telekomunikačním usměrňování
• Lze použít pro přední konce fotovoltaických měničů
• Ideální pro fázové měniče průmyslových motorů
• Používá se s napájecími zdroji v telekomunikačním usměrňování
• Lze použít pro přední konce fotovoltaických měničů
Jaké limity napětí hradla je třeba dodržovat při návrhu pohonu?
Hradlo nesmí být poháněno nad ±30 V vzhledem ke zdroji, aby se zabránilo namáhání oxidem hradla a byla zajištěna dlouhodobá spolehlivost.
Jak ovlivňuje řízení teploty praktickou manipulaci s napájením?
Jmenovitý rozptyl 179 W vyžaduje odpovídající chladič a tepelné rozhraní pro udržení teploty spoje pod maximální hodnotou 150 °C při nepřetržité zátěži.
Jaký rozsah okolních teplot mohou systémy kolem tohoto zařízení očekávat?
Je specifikován pro provoz v rozsahu -55 °C až 150 °C, což při správné montáži umožňuje použití v prostředích s extrémně chladnými a zvýšenými tepelnými podmínkami.
Jak kanálový režim zařízení ovlivňuje chování obvodu?
Jelikož se jedná o N-kanálové zařízení s režimem vylepšení, zůstává vypnuté při nulovém zkreslení hradla a vyžaduje kladný pohon hradla pro vedení, což zjednodušuje ovládání v topologiích s nízkou a vysokou stranou.
Související odkazy
- řada: SIHP MOSFET SIHP150N60E-GE3 N-kanálový 22 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SIHP MOSFET SIHP054N65E-GE3 N-kanálový 47 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SIHP MOSFET SIHP074N65E-GE3 N-kanálový 35 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SIHP MOSFET SIHP085N60EF-GE3 N-kanálový 34 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SIHP MOSFET SIHP155N60EF-GE3 N-kanálový 21 A 600 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SF Series MOSFET SIHP110N65SF-GE3 N-kanálový 33 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E Výkonový MOSFET SiHP080N60E-GE3 N-kanálový 35 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: EF Výkonový MOSFET SIHP186N60EF-GE3 N-kanálový 18 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový