řada: SIHK MOSFET SIHK105N60EF-T1GE3 Typ N-kanálový 24 A 650 V Vishay, PowerPAK 10 x 12, počet kolíků: 8 kolíkový

Skladové číslo RS:: 268-8308
Výrobní číslo:: SIHK105N60EF-T1GE3
Výrobce:: Vishay

řada: SIHK MOSFET SIHK105N60EF-T1GE3 Typ N-kanálový 24 A 650 V Vishay, PowerPAK 10 x 12, počet kolíků: 8 kolíkový

Mezisoučet (1 naviják po 2000 kusech)*

130 436,00 Kč

(bez DPH)

157 828,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Skladem

Plus 2 000 jednotka(y) budou odesílané od 21. srpna 2026

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
2000 +	65,218 Kč	130 436,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 268-8308
Výrobní číslo:: SIHK105N60EF-T1GE3
Výrobce:: Vishay

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Vishay
	Typ produktu	MOSFET
	Typ kanálu	Typ N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	24A
	Maximální napětí na zdroji Vds	650V
	Typ balení	PowerPAK 10 x 12
	Řada	SIHK
	Typ montáže	Montáž na plošný spoj
	Počet kolíků	8
	Maximální odpor zdroje Rds	0.105Ω
	Režim kanálu	Vylepšení
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd	142W
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	51nC
	Přímé napětí Vf	1.2V
	Maximální provozní teplota	150°C
	Délka	9.9mm
	Normy/schválení	RoHS
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Vishay
	Typ produktu MOSFET
	Typ kanálu Typ N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 24A
	Maximální napětí na zdroji Vds 650V
	Typ balení PowerPAK 10 x 12
	Řada SIHK
	Typ montáže Montáž na plošný spoj
	Počet kolíků 8
	Maximální odpor zdroje Rds 0.105Ω
	Režim kanálu Vylepšení
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd 142W
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 51nC
	Přímé napětí Vf 1.2V
	Maximální provozní teplota 150°C
	Délka 9.9mm
	Normy/schválení RoHS
	Automobilový standard Ne

Datasheet - SIHK105N60EF-T1GE3

Země původu (Country of Origin):: CN

MOSFET řady Vishay SIHK, napětí zdroje vypouštění 650 V, nepřetržitý vypouštěcí proud 24 A – SIHK105N60EF-T1GE3

Tento MOSFET je vysokonapěťový polovodičový spínač s N-kanálem navržený pro převod výkonu a spínací úkoly v průmyslové elektronice. Pracuje v širokém rozsahu teplot a je namontován na desky plošných spojů v 8-kolíkovém pouzdru, což zajišťuje rovnováhu spínací schopnosti a tepelné manipulace vhodné pro náročné prostředí elektrického řízení.

Charakteristiky a výhody:

• Jmenovitý odvod 650 V umožňuje vysokonapěťové spínací aplikace • Nepřetržitý vypouštěcí proud 24 A podporuje značné zátěžové proudy • Rds(on) 0,105 Ω snižuje ztráty při vedení během provozu • Nabíjení hradla 51 nC umožňuje řízený výkon spínání • Rozptýlení výkonu 142 W pomáhá při manipulaci s vysokým výkonem na PCB • Tolerance hradla ±30 V umožňuje širokou marži pohonu hradla

Aplikace

• Vhodné pro průmyslové stupně měničů s pohonem motoru • Ideální pro vysokonapěťové napájecí zdroje a měniče • Používá se pro převod DC/DC v automatizačních systémech • Lze použít pro spínané regulátory výkonu ve strojích • Vhodné pro spínání napájení v elektrických rozvodných jednotkách

Jaké tepelné extrémy může toto zařízení tolerovat během provozu?

Je určen pro provoz od -55 °C až do maximální teploty 150 °C, což umožňuje použití v náročných tepelných prostředích.

Kolik kolíků a jaký styl montáže vyžaduje na desce?

Je dodáván v 8-kolíkové konfiguraci určené pro montáž na desku plošných spojů v rozměru PowerPAK 10 x 12.

Jaké typy omezení pohonu hradla by měly být dodržovány?

Zařízení přijímá až 30 V mezi hradlem a zdrojem, takže obvody pohonu hradla by měly zůstat v tomto limitu, aby se zabránilo poškození.

Jak zařízení splňuje omezení v oblasti životního prostředí?

Splňuje požadavky RoHS, což znamená soulad s omezenými nebezpečnými látkami.