řada: SIHK MOSFET SIHK105N60EF-T1GE3 N-kanálový 24 A 650 V Vishay, PowerPAK 10 x 12, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 268-8308
- Výrobní číslo:
- SIHK105N60EF-T1GE3
- Výrobce:
- Vishay
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
- Skladové číslo RS:
- 268-8308
- Výrobní číslo:
- SIHK105N60EF-T1GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 24A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Řada | SIHK | |
| Typ balení | PowerPAK 10 x 12 | |
| Typ montáže | Montáž na plošný spoj | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.105Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 142W | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 51nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 9.9mm | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 24A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Řada SIHK | ||
Typ balení PowerPAK 10 x 12 | ||
Typ montáže Montáž na plošný spoj | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.105Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 142W | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 51nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 9.9mm | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
MOSFET řady Vishay SIHK, maximální zdrojové napětí vypouštění 650 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 24 A – SIHK105N60EF-T1GE3
Tento MOSFET je vysokonapěťové vylepšovací zařízení s N-kanálem navržené pro napájecí spínání v náročných systémech pro montáž na PCB. Pracuje v širokém rozsahu teplot a je určen pro aplikace vyžadující značný vypouštěcí proud a zvýšené blokovací napětí při současném splnění environmentálních norem RoHS.
Charakteristiky a výhody:
• Jmenovitý odvod 650 V umožňuje vysokonapěťové spínání
• nepřetržitý vypouštěcí proud 24 A podporuje provoz při vysoké zátěži
• Rds(on) 0.105 Ω snižuje ztráty při vedení při zátěži
• Rozptýlení výkonu 142 W umožňuje manipulaci s vysokým výkonem
• Typický náboj hradla 51 nC minimalizuje ztráty spínací energie
• Jmenovitá hodnota hradla 30 V umožňuje širokou flexibilitu hradlového pohonu
• nepřetržitý vypouštěcí proud 24 A podporuje provoz při vysoké zátěži
• Rds(on) 0.105 Ω snižuje ztráty při vedení při zátěži
• Rozptýlení výkonu 142 W umožňuje manipulaci s vysokým výkonem
• Typický náboj hradla 51 nC minimalizuje ztráty spínací energie
• Jmenovitá hodnota hradla 30 V umožňuje širokou flexibilitu hradlového pohonu
Aplikace
• Vhodné pro průmyslové výkonové měniče a měniče
• Ideální pro přední konce vysokonapěťových motorových pohonů
• Používá se se spínanými napájecími zdroji pro energeticky úsporné spínání
• Lze použít pro polovodičová relé a ochranné obvody
• Vhodné pro telekomunikační rozvodné moduly
• Ideální pro přední konce vysokonapěťových motorových pohonů
• Používá se se spínanými napájecími zdroji pro energeticky úsporné spínání
• Lze použít pro polovodičová relé a ochranné obvody
• Vhodné pro telekomunikační rozvodné moduly
Jaký formát pouzdra používá toto zařízení pro montáž PCB?
Dodává se v pouzdru PowerPAK 10x12 určeném pro montáž na desku plošných spojů na povrch, což zajišťuje kompaktní půdorysnost a tepelnou odlehčovací funkci pro vysoce výkonná uspořádání.
Jak se zařízení vyrovná s extrémními okolními teplotami?
Zařízení je specifikováno pro provoz v rozsahu -55 °C až 150 °C a pokrývá širokou škálu průmyslových tepelných podmínek bez poklesu pod tyto limity.
Jaké úvahy o pohonu hradla je třeba dodržovat pro spolehlivý provoz?
Výkyvy hradla musí být omezeny na maximálně 30 V, aby se zabránilo namáhání oxidem hradla
pro řízení náboje 51nC během přepínání se doporučují vhodné odpory hradla a obvody pohonu.
Je toto zařízení vhodné pro kvalifikaci v automobilovém průmyslu?
Není označen jako automobilový, takže by se nemělo předpokládat, že splňuje požadavky kvalifikace specifické pro automobilový průmysl.
Související odkazy
- řada: SIHK MOSFET SIHK105N60EF-T1GE3 N-kanálový 24 A 650 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SIHK MOSFET SIHK045N60EF-T1GE3 N-kanálový 47 A 650 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SIHK MOSFET SIHK085N60EF-T1GE3 N-kanálový 30 A 650 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SIHK MOSFET SIHK125N60EF-T1GE3 N-kanálový 21 A 650 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SIHK MOSFET SIHK185N60EF-T1GE3 N-kanálový 16 A 650 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SIHK MOSFET SIHK155N60EF-T1GE3 N-kanálový 18 A 600 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SIHK MOSFET SIHK105N60E-T1-GE3 N-kanálový 24 A 650 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SiH MOSFET SIHK045N60E-T1GE3 N-kanálový 48 A 650 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
