řada: SIHK MOSFET SIHK085N60EF-T1GE3 N-kanálový 30 A 650 V Vishay, PowerPAK 10 x 12, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 268-8306
Výrobní číslo:: SIHK085N60EF-T1GE3
Výrobce:: Vishay

řada: SIHK MOSFET SIHK085N60EF-T1GE3 N-kanálový 30 A 650 V Vishay, PowerPAK 10 x 12, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (1 naviják po 2000 kusech)*

190 558,00 Kč

(bez DPH)

230 576,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Poslední zásoby RS

Posledních 2 000 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa

Ks	za jednotku	za cívku*
2000 +	95,279 Kč	190 558,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 268-8306
Výrobní číslo:: SIHK085N60EF-T1GE3
Výrobce:: Vishay

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Vishay
	Typ kanálu	N
	Typ produktu	MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	30A
	Maximální napětí na zdroji Vds	650V
	Typ balení	PowerPAK 10 x 12
	Řada	SIHK
	Typ montáže	Montáž na plošný spoj
	Počet kolíků	8
	Maximální odpor zdroje Rds	0.085Ω
	Režim kanálu	Vylepšení
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	63nC
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd	184W
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	30V
	Přímé napětí Vf	1.2V
	Maximální provozní teplota	150°C
	Délka	9.9mm
	Normy/schválení	RoHS
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Vishay
	Typ kanálu N
	Typ produktu MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 30A
	Maximální napětí na zdroji Vds 650V
	Typ balení PowerPAK 10 x 12
	Řada SIHK
	Typ montáže Montáž na plošný spoj
	Počet kolíků 8
	Maximální odpor zdroje Rds 0.085Ω
	Režim kanálu Vylepšení
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 63nC
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd 184W
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V
	Přímé napětí Vf 1.2V
	Maximální provozní teplota 150°C
	Délka 9.9mm
	Normy/schválení RoHS
	Automobilový standard Ne

Datasheet - SIHK085N60EF-T1GE3

Země původu (Country of Origin):: CN

MOSFET řady Vishay SIHK, maximální zdrojové napětí vypouštění 650 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 30 A – SIHK085N60EF-T1GE3

Tento MOSFET je vysokonapěťové spínací zařízení s N-kanálem navržené pro převod výkonu a řízení v průmyslové elektronice. Funguje jako tranzistor s vylepšovacím režimem vhodný pro montáž na PCB a je určen pro náročné aplikace, které vyžadují robustní tepelnou toleranci a značnou manipulaci s proudem.

Charakteristiky a výhody:

• Jmenovitá hodnota 650 V umožňuje vysoké spínání napětí • Nepřetržitý vypouštěcí proud 30 A podporuje vysoké zatížení • 0,085 Ω Rds(on) snižuje ztráty při vedení při spínání • Typické náboje hradla 63 nC umožňuje předvídatelnou konstrukci pohonu hradla • Rozptýlení výkonu 184 W umožňuje významný tepelný průtok • Maximální teplota spoje 150 °C podporuje provoz při vysokých teplotách

Aplikace

• Vhodné pro vysokonapěťové měniče DC/DC v automatizačních systémech • Ideální pro přední konce pohonu motoru vyžadující vysoký proud • Používá se pro spínané napájecí zdroje v průmyslové elektronice • Lze použít pro invertorové stupně v zařízení pro řízení napájení

Jaká omezení pohonu hradla je třeba vzít v úvahu pro použití?

Zařízení toleruje napětí hradla až 30 V a vykazuje typický celkový náboj hradla 63 nC, takže ovladače musí dodávat dostatečný náboj a ovládání přepětí v rámci tohoto limitu napětí.

Jak by mělo být uspořádáno řízení teploty na desce plošných spojů?

Díky maximálnímu rozptylu 184 W a vysoké spojovací kapacitě poskytují značnou plochu mědi, tepelné dráhy a vhodný vzor připojení chladiče pro udržení bezpečných provozních teplot.

Jaký rozsah okolních teplot toleruje během provozu?

Pracuje při teplotě do -55 °C a maximálně do 150 °C, což umožňuje nasazení v široké škále okolních a zvýšených scénářů.

Jaký montážní přístup je vyžadován pro spolehlivou montáž?

Díl je určen pro montáž na desku plošných spojů v pouzdru PowerPAK 10 x 12 s 8kolíkovým rozhraním, takže by měly být použity standardní pájecí procesy pro napájecí pouzdra.