řada: SIHK MOSFET SIHK105N60E-T1-GE3 N-kanálový 24 A 650 V Vishay, PowerPAK 10 x 12, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 268-8311
- Výrobní číslo:
- SIHK105N60E-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
285,04 Kč
(bez DPH)
344,90 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 2 050 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | 142,52 Kč | 285,04 Kč |
| 50 - 98 | 128,195 Kč | 256,39 Kč |
| 100 - 248 | 104,73 Kč | 209,46 Kč |
| 250 - 998 | 102,75 Kč | 205,50 Kč |
| 1000 + | 79,285 Kč | 158,57 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 268-8311
- Výrobní číslo:
- SIHK105N60E-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 24A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Typ balení | PowerPAK 10 x 12 | |
| Řada | SIHK | |
| Typ montáže | Montáž na plošný spoj | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.1Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 132W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 53nC | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 9.9mm | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 24A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Typ balení PowerPAK 10 x 12 | ||
Řada SIHK | ||
Typ montáže Montáž na plošný spoj | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.1Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 132W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 53nC | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 9.9mm | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
MOSFET řady Vishay SIHK, napětí zdroje vypouštění 650 V, vypouštěcí proud 24 A – SIHK105N60E-T1-GE3
Tento MOSFET je vysokonapěťové vylepšovací zařízení s N-kanálem navržené pro spínání napájení v průmyslových a elektronických systémech. Pracuje v širokém rozsahu teplot a je určen pro montáž na desku plošných spojů v aplikacích, které vyžadují vysoké odtokové napětí zdroje a značnou proudovou kapacitu. Součást je dodávána v kompaktním pouzdru PowerPAK vhodném pro hustá uspořádání desek.
Charakteristiky a výhody:
• Maximální napětí drain-zdroj 650 V umožňuje vysokonapěťové spínací aplikace • Nepřetržitý vypouštěcí proud 24 A podporuje značné zátěžové proudy • Rds(on) 0,1 Ω snižuje ztráty při vedení a zvyšuje účinnost • Rozptýlení výkonu 132 W umožňuje udržitelnou manipulaci s výkonem v tepelných konstrukcích • Typický náboj hradla 53 nC při Vgs omezuje spínací energii pro rychlejší přechody • Maximální provozní teplota 150 °C umožňuje zvýšenou tepelnou provozní teplotu
Aplikace
• Vhodné pro vysokonapěťové napájecí zdroje a měniče • Ideální pro průmyslové stupně měničů s pohonem motoru • Používá se pro spínané napájecí zdroje na primární straně • Lze použít pro výkonové stupně fotovoltaických měničů • Vhodné pro obvody s korekcí účiníku
Jaké je přípustné napětí pohonu hradla pro bezpečný provoz?
Napětí zdroje hradla nesmí překročit 30 V, aby se zabránilo přetížení oxidu hradla a zajistilo spolehlivé spínání.
Jak se zařízení chová při nízkých teplotách v podmínkách studeného startu?
Je specifikován pro provoz do -55 °C a zachovává vodivé vlastnosti v režimu zesílení při teplotách pod nulou.
Které pouzdro a konfigurace kolíků pomáhají při montáži desek plošných spojů?
Součást je dodávána v pouzdru PowerPAK 10x12 s osmi kolíky, což usnadňuje automatizované pájení a tepelný kontakt na uspořádání PCB.
Jak typický náboj hradla ovlivňuje konstrukci spínání?
Nabíjení hradla 53 nC na jmenovitém pohonu hradla ovlivňuje velikost ovladače hradla a spínací ztráty, což informuje o výběru proudové kapacity ovladače.
Související odkazy
- řada: SIHK MOSFET SIHK105N60E-T1-GE3 N-kanálový 24 A 650 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SIHK MOSFET SIHK155N60E-T1-GE3 N-kanálový 19 A 600 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: E Výkonový MOSFET SiHH080N60E-T1-GE3 N-kanálový 32 A 650 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: SiH MOSFET SIHH068N60E-T1-GE3 N-kanálový 34 A 650 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: SIHK MOSFET SIHK045N60EF-T1GE3 N-kanálový 47 A 650 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SIHK MOSFET SIHK105N60EF-T1GE3 N-kanálový 24 A 650 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SIHK MOSFET SIHK085N60EF-T1GE3 N-kanálový 30 A 650 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SIHK MOSFET SIHK125N60EF-T1GE3 N-kanálový 21 A 650 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení