řada: SIHK MOSFET SIHK105N60E-T1-GE3 N-kanálový 24 A 650 V Vishay, PowerPAK 10 x 12, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 268-8311
- Výrobní číslo:
- SIHK105N60E-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
- Skladové číslo RS:
- 268-8311
- Výrobní číslo:
- SIHK105N60E-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 24A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Typ balení | PowerPAK 10 x 12 | |
| Řada | SIHK | |
| Typ montáže | Montáž na plošný spoj | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.1Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 53nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 132W | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Délka | 9.9mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 24A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Typ balení PowerPAK 10 x 12 | ||
Řada SIHK | ||
Typ montáže Montáž na plošný spoj | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.1Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 53nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 132W | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Délka 9.9mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
MOSFET řady Vishay SIHK, maximální zdrojové napětí vypouštění 650 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 24 A – SIHK105N60E-T1-GE3
Tento MOSFET je vysokonapěťový N-kanálový tranzistor navržený pro napájecí spínání na deskách plošných spojů. Pracuje v širokém teplotním rozsahu pro průmyslová prostředí a je vhodný pro aplikace vyžadující významnou manipulaci s výkonem a zvýšenou odolnost vůči odtokovému napětí zdroje. Zařízení je namontováno v nízkoprofilovém pouzdru PowerPAK pro snadné tepelné řízení na sestavách PCB.
Charakteristiky a výhody:
• Jmenovitá hodnota drain-zdroj 650 V umožňuje vysokonapěťové spínání
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 24 A podporuje vysoké zatížení
• Nízká hodnota Rds(on) 0.1 Ω snižuje ztráty při vedení
• Maximální rozptyl 132 W zlepšuje tepelný prostor
• Typické nabíjení hradla 53 nC vyváží rychlost přepínání a sílu pohonu
• Limit hradla Vgs 30 V umožňuje robustní rozsahy ovládání hradla
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 24 A podporuje vysoké zatížení
• Nízká hodnota Rds(on) 0.1 Ω snižuje ztráty při vedení
• Maximální rozptyl 132 W zlepšuje tepelný prostor
• Typické nabíjení hradla 53 nC vyváží rychlost přepínání a sílu pohonu
• Limit hradla Vgs 30 V umožňuje robustní rozsahy ovládání hradla
Aplikace
• Vhodné pro průmyslové vysokonapěťové napájecí zdroje
• Ideální pro stupně převodu výkonu ve spínaném režimu
• Používá se s měničem motorového pohonu vyžadujícím vysoké napětí
• Lze použít pro obvody pro korekci účiníku
• Vhodné pro elektroniku rozhraní pro veřejné služby a obnovitelné zdroje energie
• Ideální pro stupně převodu výkonu ve spínaném režimu
• Používá se s měničem motorového pohonu vyžadujícím vysoké napětí
• Lze použít pro obvody pro korekci účiníku
• Vhodné pro elektroniku rozhraní pro veřejné služby a obnovitelné zdroje energie
V jakém teplotním rozsahu může spolehlivě pracovat?
Zařízení je specifikováno pro provoz v rozsahu -55 °C až 150 °C, což umožňuje použití v náročných tepelných prostředích.
Jaké úvahy o balení a montáži platí pro tepelnou výkonnost?
Dodává se v pouzdru PowerPAK 10x12 určeném pro montáž na PCB, který usnadňuje rozptýlení tepla v kombinaci s vhodnými měděnými plochami a tepelnými vodiči.
Jak nabíjení hradla ovlivňuje výběr ovladače?
S typickým celkovým nábojem hradla 53 nC musí budiče dodávat dostatečný proud pro požadované spínací rychlosti a zároveň řídit ztráty budiče hradla.
Jaké je maximální přípustné napětí hradla-zdroje?
Maximální Vgs je 30 V, takže obvody pohonu hradla by měly být navrženy tak, aby zůstaly v tomto limitu, aby se zabránilo namáhání zařízení.
Související odkazy
- řada: SIHK MOSFET SIHK105N60E-T1-GE3 N-kanálový 24 A 650 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SIHK MOSFET SIHK155N60E-T1-GE3 N-kanálový 19 A 600 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: E Výkonový MOSFET SiHH080N60E-T1-GE3 N-kanálový 32 A 650 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: SiH MOSFET SIHH068N60E-T1-GE3 N-kanálový 34 A 650 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: SIHK MOSFET SIHK045N60EF-T1GE3 N-kanálový 47 A 650 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SIHK MOSFET SIHK105N60EF-T1GE3 N-kanálový 24 A 650 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SIHK MOSFET SIHK085N60EF-T1GE3 N-kanálový 30 A 650 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SIHK MOSFET SIHK125N60EF-T1GE3 N-kanálový 21 A 650 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
