AEC-Q101, řada: RE1E002SP MOSFET RE1E002SPTCL Typ P-kanálový -0.25 A 30 V ROHM, SOT-416, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 264-3820
- Výrobní číslo:
- RE1E002SPTCL
- Výrobce:
- ROHM
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 25 kusech)*
93,375 Kč
(bez DPH)
112,975 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 1 325 jednotka(y) budou odesílané od 21. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 3,735 Kč | 93,38 Kč |
| 50 - 75 | 3,656 Kč | 91,40 Kč |
| 100 - 225 | 2,302 Kč | 57,55 Kč |
| 250 - 975 | 2,262 Kč | 56,55 Kč |
| 1000 + | 2,203 Kč | 55,08 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 264-3820
- Výrobní číslo:
- RE1E002SPTCL
- Výrobce:
- ROHM
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | ROHM | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | -0.25A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Typ balení | SOT-416 | |
| Řada | RE1E002SP | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 1.4Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 150mW | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Přímé napětí Vf | -1.2V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | AEC-Q101 | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka ROHM | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id -0.25A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Typ balení SOT-416 | ||
Řada RE1E002SP | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 1.4Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 150mW | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Přímé napětí Vf -1.2V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení AEC-Q101 | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
- Země původu (Country of Origin):
- TH
Transistory MOSFET ROHM jsou vyráběny s mimořádně nízkým odporem při zapnutí pomocí mikroprocesorových technologií vhodných pro mobilní zařízení s nízkou spotřebou proudu. V široké nabídce včetně kompaktních, vysokovýkonových a komplexních typů, které splňují požadavky na trhu.
Typ s pohonem 4 V
Pch MOSFET s malým signálem
Malé pouzdro pro povrchovou montáž
Související odkazy
- AEC-Q101 SOT-416, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: RE1C001ZP MOSFET RE1C001ZPTL Typ P-kanálový 100 mA 20 V ROHM počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- ROHM Digitální tranzistor -50 V SOT-416 PnP, počet kolíků: 3 kolíkový Povrch
- ROHM Digitální tranzistor 50 V SOT-416 NPN, počet kolíků: 3 kolíkový Povrch
- ROHM Tranzistor 100 mA NPN počet kolíků: 3 kolíkový Jednoduchý
- řada: RE1C002ZP MOSFET RE1L002SNTL N-kanálový 250 mA 60 V ROHM počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: RE1C002UN MOSFET RE1C002UNTCL N-kanálový 200 mA 20 V ROHM počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- ROHM Digitální tranzistor DTA114TETL -50 V SOT-416 PnP, počet kolíků: 3 kolíkový Povrch
